雙極型集成電路ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-10 10:46 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 20 雜質(zhì)橫向擴散示意圖 21 固態(tài)源擴散：如 B2O P2O BN等 22 23 利用液態(tài)源進行擴散的裝置示意圖 24 25 離子注入 ? 離子注入：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目 (劑量 )決定 – 摻雜的均勻性好 – 溫度低：小于 600℃ – 可以精確控制雜質(zhì)分布 – 可以注入各種各樣的元素 – 橫向擴展比擴散要小得多。 – 可以對化合物半導(dǎo)體進行摻雜 26 離子注入系統(tǒng)的原理示意圖 27 離子注入到無定形靶中的分布情況 28 摻雜工藝存在的主要問題：對襯底晶格的損傷。 離子注入后，一般都要經(jīng)過退火處理。 29 退 火 ? 退火：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮氣等不活潑氣氛中進行的熱處理過程都可以稱為退火 – 激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運動到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用 – 消除損傷 ? 退火方式： – 爐退火 – 快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源 (如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等 ) 30 三、 制膜 氧化工藝 ? 氧化：制備 SiO2層 ? SiO2的性質(zhì)及其作用 SiO2是一種十分理想的電絕緣材料，它的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，室溫下它只與氫氟酸發(fā)生化學(xué)反應(yīng) 31 氧化硅層的主要作用 ? 在 MOS電路中作為 MOS器件的絕緣柵介質(zhì)，器件的組成部分 ? 擴散時的掩蔽層，離子注入的 (有時與光刻膠、 Si3N4層一起使用 )阻擋層 ? 作為集成電路的隔離介質(zhì)材料 ? 作為電容器的絕緣介質(zhì)材料 ? 作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料 ? 作為對器件和電路進行鈍化的鈍化層材料 32 SiO2的制備方法 ? 熱氧化法 –干氧氧化 –水蒸汽氧化 –濕氧氧化 –干氧－濕氧－干氧 (簡稱干濕干 )氧化法 –氫氧合成氧化 ? 化學(xué)氣相淀積法 ? 熱分解淀積法 ? 濺射法 33 進行干氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖 34 35 2
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