大功率發(fā)光芯片封裝結(jié)構(gòu)(編輯修改稿)
2025-07-23 18:12 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 電氣互連，光線由芯片的正面出射，芯片底部通過(guò)導(dǎo)熱樹(shù)脂粘結(jié)在小尺寸的反光碗中或載片臺(tái)上，最后用環(huán)氧樹(shù)脂塑封而成。由于小型LED芯片散失的熱量不大，引腳數(shù)較少，而引線鍵合工藝很成熟且成本低廉，因此到目前為止，小功率LED 主要以引線鍵合的正裝式封裝為主。圖 2 為目前市場(chǎng)上可大批量提供的GaN 基正裝LED 芯片結(jié)構(gòu)示意圖，襯底為藍(lán)寶石。這種正裝LED 的出光效率受到下面兩個(gè)因素的制約：首先，由于P 型GaN 層導(dǎo)電率較低，需要在其表面覆蓋一層半透明的NiAu材料作為電流擴(kuò)展層，由于NiAu 是部分吸光材料，厚了會(huì)增加對(duì)光的吸收，太薄又不利于電流在擴(kuò)展層上的均勻性和大電流在P 型GaN 表面擴(kuò)展的可靠性，不得不綜合考慮；其次，芯片產(chǎn)生的熱量大部分需通過(guò)導(dǎo)熱性差的藍(lán)寶石襯底再傳遞到熱沉上，這不利于熱量的迅速散失，從而限制了芯片發(fā)光效率和輸入功率的提高。基于這兩個(gè)影響因素和芯片面積的不斷增大以及輸入功率的不斷提高，功率型LED 倒裝式封裝逐漸發(fā)展起來(lái)。圖2 正裝LED 芯片結(jié)構(gòu)示意圖4 倒裝芯片(Flip Chip)式封裝LED 倒裝式封裝是將LED 芯片的電極觸點(diǎn)朝下，直接貼裝到硅載體或PCB 基板上，中間通過(guò)焊料/導(dǎo)電膠互連，然后粘貼到熱沉上，外面采用棱鏡塑封而成，芯片產(chǎn)生的光束通過(guò)透明的藍(lán)寶石襯底出射。此封裝結(jié)構(gòu)中采用的倒裝型LED 芯片是在外延半導(dǎo)體上形成高反射率的金屬層，比如Ag 和Al
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