某公司功率器件封裝工藝課件(編輯修改稿)
2025-02-24 18:14 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 vceo、 Vfbe、 Vfbc、Vfec、 Bton、 Bvces、 Bvcer、 Icer、 Icex、 Icbr、Icbs、 BVcbo、 Iceo等參數(shù) 24 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 提高產(chǎn)品可靠性 －封裝工藝的嚴格控制 一、降低熱阻 二、控制“虛焊” 三、增強塑封氣密性 25 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 降低器件發(fā)熱量的三個途徑 一、通過優(yōu)化電路，避免開關(guān)器件進入放大區(qū)，減小器件上的功率消耗 。 二、降低器件的熱阻，即提高器件的散熱能力。 三、提高器件的電流性能，降低飽和壓降 。 在電路和芯片都已固定的情況下，避免器件發(fā)熱失效重要的途徑就是降低器件的 熱阻 。 26 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 一、熱阻的定義 熱阻 (Rth)是表征晶體管工作時所產(chǎn)生的熱量向外界散發(fā)的能力，單位為 ℃ /W，即是當管子消耗掉 1W時器件溫度升高的度數(shù)。 RTH總＝ RT1+ RT2+ RT3 27 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 二、晶體管熱阻的組成 RT1內(nèi)熱阻－由芯片的大小及材料決定。 RT2接觸熱阻－與封裝工藝有關(guān)。 RT3與封裝形式及是否加散熱片有關(guān)。 背面金、銀層 焊料層 銅底座 （ 框架） 芯片 R T1 R T 2 R T 3 28 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 我們工藝控制過程中，最重要的是解決接觸熱阻。主要的控制手段： 粘片工藝對接觸熱阻的控制。 高效的測試手段進行篩選 。 29 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 — 粘片工藝 熱阻偏大的原因分析與工藝保證 30 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 — 測試篩選 晶體管的熱阻測試原理： 在一定范圍內(nèi) pn結(jié)的正向壓降 Vbe 的變化與結(jié)溫度的變化 △ T有近似線性的關(guān)系： △ Vbe＝ k△ T 對于硅 pn結(jié)， k約等于 2，熱阻的計算公式為： Rth＝ △ T/P 只需加一個穩(wěn)定的功率，測量晶體管的 △ Vbe即可計算出晶體管的熱阻 RT。 31 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測試篩選設(shè)備的優(yōu)點 進行熱阻測試篩選，我們用的是日本TESEC的 △ Vbe測試儀 。 32 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測試篩選設(shè)備的優(yōu)點 △ Vbe測試儀的性能參數(shù)及優(yōu)點： 測試精度： 脈沖時間精確度： 1us 最高電壓： 200V 最大電流： 20A 優(yōu)點： ，且精度高可達到 ，重復性好。 33 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測試篩選設(shè)備的優(yōu)點 優(yōu)點 2：篩選率高 如粘片有空洞，脈沖測試在很
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