某公司功率器件封裝工藝流程培訓課件(編輯修改稿)
2025-02-24 18:14 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 度數(shù)。 RTH總＝ RT1+ RT2+ RT3 27 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 二、晶體管熱阻的組成 RT1內(nèi)熱阻－由芯片的大小及材料決定。 RT2接觸熱阻－與封裝工藝有關(guān)。 RT3與封裝形式及是否加散熱片有關(guān)。 背面金、銀層 焊料層 銅底座 （ 框架） 芯片 R T1 R T 2 R T 3 28 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 我們工藝控制過程中，最重要的是解決接觸熱阻。主要的控制手段： 粘片工藝對接觸熱阻的控制。 高效的測試手段進行篩選 。 29 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 — 粘片工藝 原因 技術(shù)要求 工藝保證 芯片背面金屬層質(zhì)量 金屬層平整清潔無氧化，且有一定厚度。 每片先試粘一條，試推力，符合工藝規(guī)范才下投。 焊料 表面清潔光亮，無氧化及斑點、粘污等不良現(xiàn)象。 與芯片、框架兩者之間的浸潤性良好，溶化后無顆粒狀。 引線框架 表面平整、清潔、光亮無氧化，無斑點。 焊料點上熔化后，焊料與之的浸潤好。 粘接強度 推力： mm21kg 焊料覆蓋芯片面積95%(空洞面積 5%) 芯片、焊料、框架三者之間無縫隙。 專職檢驗員每隔 1小時巡查一次。 N H2氣體保護。 XR管理圖 熱阻偏大的原因分析與工藝保證 30 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 — 測試篩選 晶體管的熱阻測試原理： 在一定范圍內(nèi) pn結(jié)的正向壓降 Vbe 的變化與結(jié)溫度的變化△ T有近似線性的關(guān)系： △ Vbe＝ k△ T 對于硅 pn結(jié)， k約等于 2，熱阻的計算公式為： Rth＝△ T/P 只需加一個穩(wěn)定的功率，測量晶體管的△ Vbe即可計算出晶體管的熱阻 RT。 31 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測試篩選設備的優(yōu)點 進行熱阻測試篩選，我們用的是日本 TESEC的△ Vbe測試儀 。 32 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測試篩選設備的優(yōu)點 △ Vbe測試儀的性能參數(shù)及優(yōu)點： 測試精度： 脈沖時間精確度： 1us 最高電壓： 200V 最大電流： 20A 優(yōu)點： ，且精度高可達到 ，重復性好。 33 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測試篩選設備的優(yōu)點 優(yōu)點 2：篩選率高 如粘片有空洞，脈沖測試在很短功率脈沖內(nèi)，由于熱量來不及傳導，有空洞的地方就會形成一個熱點（即溫度比粘結(jié)面其他地區(qū)高出很多的小區(qū)域）（如右圖示 ）。 粘片空洞 熱點 框架 焊料 芯片 熱點處溫度高， Vbe將比其他地方的 Vbe變化大。整個pn結(jié)的△ Vbe將主要受熱點處的△ Vbe的影響，因此，有空洞的管子的△ Vbe比正常管子的△ Vbe要大很多。 34 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 我公司產(chǎn)品的熱阻特點 通過測量△ Vbe，再經(jīng)過公式 Rth＝ △ Vbe /KP 我公司典型產(chǎn)品值： 品種 封裝形式 熱阻值 MJE13001 TO92 ℃ /W MJE13003BR TO126 ℃ /W MJE13005 TO220 ℃ /W 35 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 控制“虛焊” — 造成虛焊的因素與對策措施 因素 技術(shù)要求 對策措
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