功率器件封裝工藝詳解(公司最新)(編輯修改稿)
2025-03-22 02:46 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 o、 Bveb、 Icbo、 Bvceo、 Vfbe、 Vfbc、Vfec、 Bton、 Bvces、 Bvcer、 Icer、 Icex、 Icbr、Icbs、 BVcbo、 Iceo等參數(shù) 24 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 提高產(chǎn)品可靠性 －封裝工藝的嚴(yán)格控制 一、降低熱阻 二、控制“虛焊” 三、增強(qiáng)塑封氣密性 25 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 降低器件發(fā)熱量的三個(gè)途徑 一、通過優(yōu)化電路，避免開關(guān)器件進(jìn)入放大區(qū)，減小器件上的功率消耗 。 二、降低器件的熱阻，即提高器件的散熱能力。 三、提高器件的電流性能，降低飽和壓降 。 在電路和芯片都已固定的情況下，避免器件發(fā)熱失效重要的途徑就是降低器件的 熱阻 。 26 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 一、熱阻的定義 熱阻 (Rth)是表征晶體管工作時(shí)所產(chǎn)生的熱量向外界散發(fā)的能力，單位為 ℃ /W，即是當(dāng)管子消耗掉 1W時(shí)器件溫度升高的度數(shù)。 RTH總＝ RT1+ RT2+ RT3 27 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 二、晶體管熱阻的組成 RT1內(nèi)熱阻－由芯片的大小及材料決定。 RT2接觸熱阻－與封裝工藝有關(guān)。 RT3與封裝形式及是否加散熱片有關(guān)。 背面金、銀層 焊料層 銅底座 （ 框架） 芯片 R T1 R T 2 R T 3 28 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 我們工藝控制過程中，最重要的是解決接觸熱阻。主要的控制手段： 粘片工藝對(duì)接觸熱阻的控制。 高效的測(cè)試手段進(jìn)行篩選 。 29 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 — 粘片工藝 熱阻偏大的原因分析與工藝保證 30 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 — 測(cè)試篩選 晶體管的熱阻測(cè)試原理： 在一定范圍內(nèi) pn結(jié)的正向壓降 Vbe 的變化與結(jié)溫度的變化 △ T有近似線性的關(guān)系： △ Vbe＝ k△ T 對(duì)于硅 pn結(jié)， k約等于 2，熱阻的計(jì)算公式為： Rth＝ △ T/P 只需加一個(gè)穩(wěn)定的功率，測(cè)量晶體管的 △ Vbe即可計(jì)算出晶體管的熱阻 RT。 31 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測(cè)試篩選設(shè)備的優(yōu)點(diǎn) 進(jìn)行熱阻測(cè)試篩選，我們用的是日本TESEC的 △ Vbe測(cè)試儀 。 32 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測(cè)試篩選設(shè)備的優(yōu)點(diǎn) △ Vbe測(cè)試儀的性能參數(shù)及優(yōu)點(diǎn)： 測(cè)試精度： 脈沖時(shí)間精確度： 1us 最高電壓： 200V 最大電流： 20A 優(yōu)點(diǎn)： ，且精度高可達(dá)到 ，重復(fù)性好。 33 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測(cè)試篩選設(shè)備的優(yōu)點(diǎn) 優(yōu)點(diǎn)
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