功率器件封裝工藝詳解(公司最新)-文庫(kù)吧在線(xiàn)文庫(kù)
【正文】 切筋 切筋員工在操作 18 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 老化 嚴(yán)格的篩選條件，溫度 140～ 150℃ 。 RTH總＝ RT1+ RT2+ RT3 27 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 二、晶體管熱阻的組成 RT1內(nèi)熱阻－由芯片的大小及材料決定。 32 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 熱阻測(cè)試篩選設(shè)備的優(yōu)點(diǎn) △ Vbe測(cè)試儀的性能參數(shù)及優(yōu)點(diǎn)： 測(cè)試精度： 脈沖時(shí)間精確度： 1us 最高電壓： 200V 最大電流： 20A 優(yōu)點(diǎn)： ，且精度高可達(dá)到 ，重復(fù)性好。 02:45:4402:45:4402:45Thursday, March 23, 2023 ? 1乍見(jiàn)翻疑夢(mèng)，相悲各問(wèn)年。 02:45:4402:45:4402:453/23/2023 2:45:44 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 上午 2時(shí) 45分 44秒 上午 2時(shí) 45分 02:45: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 2023年 3月 上午 2時(shí) 45分 :45March 23, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 02:45:4402:45:4402:45Thursday, March 23, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 2023年 3月 23日星期四 上午 2時(shí) 45分 44秒 02:45: ? 1楚塞三湘接，荊門(mén)九派通。 2023年 3月 上午 2時(shí) 45分 :45March 23, 2023 ? 1行動(dòng)出成果，工作出財(cái)富。 34 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 我公司產(chǎn)品的熱阻特點(diǎn) 通過(guò)測(cè)量 △ Vbe，再經(jīng)過(guò)公式 Rth＝ △ Vbe /KP 我公司典型產(chǎn)品值： 35 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 控制“虛焊” — 造成虛焊的因素與對(duì)策措施 _ X 36 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 控制“虛焊”的措施 壓焊工序?qū)σ€(xiàn)拉力進(jìn)行了嚴(yán)格的控制 37 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 塑封氣密性的工藝控制 38 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 產(chǎn)品性?xún)r(jià)比 材料的選用 先進(jìn)的工藝制程 嚴(yán)格的生產(chǎn)過(guò)程控制 39 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 材料的選用 40 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 先進(jìn)的工藝制程 一、凈化廠(chǎng)房，潔凈度 10000級(jí)，避免了粉塵灰粒的粘污 二、全自動(dòng)的粘片、壓焊機(jī)，并有氮?dú)錃獗Ｗo(hù) 三、所有產(chǎn)品經(jīng)過(guò)高溫老化，性能更穩(wěn)定更可靠 四、精度高、穩(wěn)定性好的測(cè)試篩選設(shè)備， DTS1000 ， △ Vbe 41 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 產(chǎn)品的特點(diǎn) 電流特性好，飽和壓降小，在輸出相同的功率下，晶體管消耗的功率小，發(fā)熱量低 產(chǎn)品種類(lèi)型號(hào)豐富， 專(zhuān)門(mén)針對(duì)節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器進(jìn)行設(shè)計(jì) 封裝形式 ： TO9 TO12 TO2 TO26 TO26 TO251 帶抗飽和電路的系列
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