功率器件封裝工藝流程-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 ，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 產(chǎn)品性價(jià)比 材料的選用 先進(jìn)的工藝制程 嚴(yán)格的生產(chǎn)過程控制 39 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 材料的選用 40 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 先進(jìn)的工藝制程 一、凈化廠房，潔凈度 10000級(jí)，避免了粉塵灰粒的粘污 二、全自動(dòng)的粘片、壓焊機(jī)，并有氮?dú)錃獗Ｗo(hù) 三、所有產(chǎn)品經(jīng)過高溫老化，性能更穩(wěn)定更可靠 四、精度高、穩(wěn)定性好的測(cè)試篩選設(shè)備， DTS1000 ， △ Vbe 41 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 產(chǎn)品的特點(diǎn) 電流特性好，飽和壓降小，在輸出相同的功率下，晶體管消耗的功率小，發(fā)熱量低 產(chǎn)品種類型號(hào)豐富， 專門針對(duì)節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器進(jìn)行設(shè)計(jì) 封裝形式 ： TO9 TO12 TO2 TO26 TO26 TO251 帶抗飽和電路的系列 L(低電壓 )系列晶體管 42 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 可靠性高 如高低溫循環(huán)（ 50℃ ～ 150℃ ） 冰沸水浸泡試驗(yàn) 功率老化 本公司生產(chǎn)芯片，保證質(zhì)量及芯片貨源 產(chǎn)品的特點(diǎn) 43 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 今后發(fā)展 ?后封裝擴(kuò)建搬遷項(xiàng)目 ?綠色環(huán)保塑封料 44 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 謝謝！ 深愛半導(dǎo)體 封裝部 結(jié)束語 45 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 定期檢查設(shè)備運(yùn)行狀況，確保工藝參數(shù)穩(wěn)定。 引線強(qiáng)度的 R管理圖。 劈刀 劈刀端面平整，與引線形變后尺寸一致。 31 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測(cè)試篩選設(shè)備的優(yōu)點(diǎn) 進(jìn)行熱阻測(cè)試篩選，我們用的是日本 TESEC的△ Vbe測(cè)試儀 。 焊料 表面清潔光亮，無氧化及斑點(diǎn)、粘污等不良現(xiàn)象。 RTH總＝ RT1+ RT2+ RT3 27 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 二、晶體管熱阻的組成 RT1內(nèi)熱阻－由芯片的大小及材料決定。 塑封機(jī) 14 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 塑封車間 塑封生產(chǎn)車間的景象 15 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 激光打標(biāo) 激光打印機(jī) 在管體打上標(biāo)記 塑封 切筋 打印 電鍍 測(cè)試 老化 16 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 電鍍切筋 電鍍： 純錫電鍍，符合無鉛化要求 切筋：器件分散 連筋 切筋示意圖 塑封 切筋 打印 電鍍 測(cè)試 老化 17 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 切筋 切筋員工在操作 18 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 老化 嚴(yán)格的篩選條件，溫度 140～ 150℃ 。 4 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 日本 DISKO劃片機(jī) 功率器件后封裝工藝流程－劃片車間 5 至誠(chéng)至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 粘片
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