功率器件封裝工藝詳解(公司最新)(已改無錯(cuò)字)
2023-03-23 02:46:06 本頁面
【正文】 2：篩選率高 如粘片有空洞，脈沖測試在很短功率脈沖內(nèi)，由于熱量來不及傳導(dǎo)，有空洞的地方就會形成一個(gè)熱點(diǎn)（即溫度比粘結(jié)面其他地區(qū)高出很多的小區(qū)域）（如右圖示 ）。 粘片空洞 熱點(diǎn) 框架 焊料 芯片 熱點(diǎn)處溫度高， Vbe將比其他地方的 Vbe變化大。整個(gè)pn結(jié)的 △ Vbe將主要受熱點(diǎn)處的 △ Vbe的影響，因此，有空洞的管子的 △ Vbe比正常管子的 △ Vbe要大很多。 34 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 我公司產(chǎn)品的熱阻特點(diǎn) 通過測量 △ Vbe，再經(jīng)過公式 Rth＝ △ Vbe /KP 我公司典型產(chǎn)品值： 35 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 控制“虛焊” — 造成虛焊的因素與對策措施 _ X 36 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 控制“虛焊”的措施 壓焊工序?qū)σ€拉力進(jìn)行了嚴(yán)格的控制 37 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 塑封氣密性的工藝控制 38 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 產(chǎn)品性價(jià)比 材料的選用 先進(jìn)的工藝制程 嚴(yán)格的生產(chǎn)過程控制 39 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 材料的選用 40 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 先進(jìn)的工藝制程 一、凈化廠房，潔凈度 10000級，避免了粉塵灰粒的粘污 二、全自動的粘片、壓焊機(jī)，并有氮?dú)錃獗Ｗo(hù) 三、所有產(chǎn)品經(jīng)過高溫老化，性能更穩(wěn)定更可靠 四、精度高、穩(wěn)定性好的測試篩選設(shè)備， DTS1000 ， △ Vbe 41 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 產(chǎn)品的特點(diǎn) 電流特性好，飽和壓降小，在輸出相同的功率下，晶體管消耗的功率小，發(fā)熱量低 產(chǎn)品種類型號豐富， 專門針對節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器進(jìn)行設(shè)計(jì) 封裝形式 ： TO9 TO12 TO2 TO26 TO26 TO251 帶抗飽和電路的系列 L(低電壓 )系列晶體管 42 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 可靠性高 如高低溫循環(huán)（ 50℃ ～ 150℃ ） 冰沸水浸泡試驗(yàn) 功率老化 本公司生產(chǎn)芯片，保證質(zhì)量及芯片貨源 產(chǎn)品的特點(diǎn) 43 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 今后發(fā)展 ?后封裝擴(kuò)建搬遷項(xiàng)目 ?綠色環(huán)保塑封料 44 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 謝謝！ 深愛半導(dǎo)體 封裝部 結(jié)束語 45 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 , March 23, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。 02:45:4402:45:4402:453/23/2023 2:45:44 AM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見頻。 :45:4402:45Mar2323Mar23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 02:45:4402:45:4402:45Thursday, March 23, 2023 ? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 :45:4402:4
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