功率器件封裝工藝詳解(公司最新)(更新版)
【正文】 cbo、 Iceo等參數(shù) 24 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 提高產(chǎn)品可靠性 －封裝工藝的嚴(yán)格控制 一、降低熱阻 二、控制“虛焊” 三、增強(qiáng)塑封氣密性 25 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 降低器件發(fā)熱量的三個(gè)途徑 一、通過(guò)優(yōu)化電路，避免開(kāi)關(guān)器件進(jìn)入放大區(qū)，減小器件上的功率消耗 。 氮?dú)錃怏w保護(hù)，避免高溫下材料氧化。 芯片與框架的熱匹配性良好，芯片和框架之間的應(yīng)力達(dá)到最小，熱阻小，散熱性好。 塑封 切筋 打印 電鍍 測(cè)試 老化 19 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 成品管 測(cè)試分選 QC 抽檢 成品包裝 QA 檢驗(yàn) 入成品庫(kù) 客戶使用 返工 粉碎 不合格品 合格 不合格 合格 不合格 合格 返工 不合格 返工 抽檢 合格 切筋 電鍍 測(cè)試 老化 檢驗(yàn) 包裝 測(cè)試流程 20 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 測(cè)試設(shè)備 KT9614與 DTS1000 分選機(jī) 21 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 包裝 整潔的包裝車間 新型的包裝方式 — 編帶 我公司今年新引進(jìn)的編帶機(jī) 22 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 產(chǎn)品一致性和可靠性 產(chǎn)品的一致性 產(chǎn)品可靠性 23 至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI. 產(chǎn)品參數(shù)一致性的保證 高精度的測(cè)試系統(tǒng) 最高測(cè)試電壓為 1000V，最大電流 20A，漏電流最高精度達(dá)到 pA級(jí)，電壓測(cè)試精度達(dá)到 2mV 可測(cè)試的半導(dǎo)體器件有雙極晶體管， MOS管，二極管等多種器件。 RT3與封裝形式及是否加散熱片有關(guān)。 粘片空洞 熱點(diǎn) 框架 焊料 芯片 熱點(diǎn)處溫度高， Vbe將比其他地方的 Vbe變化大。 2023年 3月 23日星期四 上午 2時(shí) 45分 44秒 02:45: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 02:45:4402:45:4402:45Thursday, March 23, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 02:45:4402:45:4402:453/23/2023 2:45:44 AM ? 1越是沒(méi)有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 上午 2時(shí) 45分 44秒 上午 2時(shí) 45分 02:45: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴
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