功率器件封裝工藝詳解(公司最新)(參考版)
2025-03-06 02:46本頁面
【正文】 2023年 3月 23日星期四 2時(shí) 45分 44秒 02:45:4423 March 2023 ? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。 2023年 3月 23日星期四 上午 2時(shí) 45分 44秒 02:45: ? 1最具挑戰(zhàn)性的挑戰(zhàn)莫過于提升自我。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 :45:4402:45Mar2323Mar23 ? 1越是無能的人，越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。 , March 23, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 2023年 3月 23日星期四 2時(shí) 45分 44秒 02:45:4423 March 2023 ? 1空山新雨后，天氣晚來秋。 。 :45:4402:45:44March 23, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 :45:4402:45Mar2323Mar23 ? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 , March 23, 2023 ? 很多事情努力了未必有結(jié)果，但是不努力卻什么改變也沒有。 2023年 3月 23日星期四 2時(shí) 45分 44秒 02:45:4423 March 2023 ? 1做前，能夠環(huán)視四周；做時(shí)，你只能或者最好沿著以腳為起點(diǎn)的射線向前。 。 :45:4402:45:44March 23, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 :45:4402:45Mar2323Mar23 ? 1故人江海別，幾度隔山川。 , March 23, 2023 ? 雨中黃葉樹，燈下白頭人。整個(gè)pn結(jié)的 △ Vbe將主要受熱點(diǎn)處的 △ Vbe的影響，因此，有空洞的管子的 △ Vbe比正常管子的 △ Vbe要大很多。 33 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測試篩選設(shè)備的優(yōu)點(diǎn) 優(yōu)點(diǎn) 2：篩選率高 如粘片有空洞，脈沖測試在很短功率脈沖內(nèi)，由于熱量來不及傳導(dǎo)，有空洞的地方就會形成一個(gè)熱點(diǎn)（即溫度比粘結(jié)面其他地區(qū)高出很多的小區(qū)域）（如右圖示 ）。 31 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測試篩選設(shè)備的優(yōu)點(diǎn) 進(jìn)行熱阻測試篩選，我們用的是日本TESEC的 △ Vbe測試儀 。 高效的測試手段進(jìn)行篩選 。 背面金、銀層 焊料層 銅底座 （ 框架） 芯片 R T1 R T 2 R T 3 28 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻的工藝控制 我們工藝控制過程中，最重要的是解決接觸熱阻。 RT2接觸熱阻－與封裝工藝有關(guān)。 26 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 一、熱阻的定義 熱阻 (Rth)是表征晶體管工作時(shí)所產(chǎn)生的熱量向外界散發(fā)的能力，單位為 ℃ /W，即是當(dāng)管子消耗掉 1W時(shí)器件溫度升高的度數(shù)。 三、提高器件的電流性能，降低飽和壓降 。 對于雙極晶體管，可測試 hFE、 Vcesat、 Vbesat、Rhfe、 Iceo、 Iebo、 Bveb、 Icbo、 Bvceo、 Vfbe、 Vfbc、Vfec、 Bton、 Bvces、 Bvcer、 Icer、 Icex、 Icbr、Icbs、 BVcbo、 Iceo等參數(shù) 24 至誠至愛，共創(chuàng)未來
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