【正文】 02:45:4402:45:4402:453/23/2023 2:45:44 AM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 2023年 3月 23日星期四 上午 2時 45分 44秒 02:45: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 RT3與封裝形式及是否加散熱片有關(guān)。 芯片與框架的熱匹配性良好，芯片和框架之間的應力達到最小，熱阻小，散熱性好。 對于雙極晶體管，可測試 hFE、 Vcesat、 Vbesat、Rhfe、 Iceo、 Iebo、 Bveb、 Icbo、 Bvceo、 Vfbe、 Vfbc、Vfec、 Bton、 Bvces、 Bvcer、 Icer、 Icex、 Icbr、Icbs、 BVcbo、 Iceo等參數(shù) 24 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 提高產(chǎn)品可靠性 －封裝工藝的嚴格控制 一、降低熱阻 二、控制“虛焊” 三、增強塑封氣密性 25 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件的重要參數(shù)－熱阻 降低器件發(fā)熱量的三個途徑 一、通過優(yōu)化電路，避免開關(guān)器件進入放大區(qū)，減小器件上的功率消耗 。整個pn結(jié)的 △ Vbe將主要受熱點處的 △ Vbe的影響，因此，有空洞的管子的 △ Vbe比正常管子的 △ Vbe要大很多。 :45:4402:45:44March 23, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 3月 23日星期四 2時 45分 44秒 02:45:4423 March 2023 ? 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強不息。 :45:4402:45Mar2323Mar23 ? 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 33 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 熱阻測試篩選設備的優(yōu)點 優(yōu)點 2：篩選率高 如粘片有空洞，脈沖測試在很短功率脈沖內(nèi)，由于熱量來不及傳導，有空洞的地方就會形成一個熱點（即溫度比粘結(jié)面其他地區(qū)高出很多的小區(qū)域）（如右圖示 ）。 使用有 N2保護的烘箱，防止管子在高溫下氧化。 7 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 粘片車間 粘片員工在認真操作 8 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 —— 粘片車間 全新的 TO220粘片機 9 至誠至愛，共創(chuàng)未來 SI SEMI. 功率器件后封裝工藝流程 壓焊 壓焊：用金絲或鋁絲將芯片上的電極跟外引線（框架管腳）連接起來。主要的控制手段： 粘片工藝對接觸熱阻的控制。 2023年 3月 上午 2時 45分 :45March 23, 2023 ? 1行動出成果，工作出財富。 02:45:4402:45:4402:45Thursday, March 23, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 上午 2時 45分 44秒 上午 2時 45分 02:45: ? 楊柳散和風，青山澹吾慮。 02:45:4402:45:4402:45Thursday, March 23, 2023 ? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 RTH總＝ RT1+ RT2+ RT3 27 至誠至愛，共創(chuàng)未來