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物理氣相淀積ppt課件(2)-在線瀏覽

2025-06-29 12:31本頁(yè)面
  

【正文】 的材料上有擴(kuò)展傾向(易濕潤(rùn))。 尤其絲狀加熱源。 點(diǎn)蒸發(fā) —濕潤(rùn)較差情況下。 ? 特點(diǎn): 淀積高熔點(diǎn)、 高純薄膜。 ②高純度淀積: 水冷坩堝 可 避免容器材料的蒸發(fā); ③ 熱效率高:熱傳導(dǎo)和熱輻射損失少。 激光加熱源 激光束加熱蒸發(fā)法 —利用高功率的連續(xù)或脈沖激光束作為能源對(duì)蒸發(fā)材料進(jìn)行加熱。 激光源:連續(xù)輸出的 CO2激光器。 蒸發(fā)源的特點(diǎn): ( 1)功率密度高達(dá) 106W/cm2,可蒸發(fā)任何高熔點(diǎn)的材料; ( 2)光斑小,可提高淀積薄膜的純度; ( 3)能量密度高,可保證薄膜成份的比例; ( 4)真空室內(nèi)裝置簡(jiǎn)單,易獲得高真空度; ( 5)激光器價(jià)格昂貴,影響了廣泛使用。 ? 優(yōu)點(diǎn): ①蒸發(fā)速率快; ②溫度均勻、穩(wěn)定,不易產(chǎn)生飛濺現(xiàn)象。 氣體輝光放電 ? 熱蒸發(fā) —能量轉(zhuǎn)化引起的 ? 濺射 —含有動(dòng)量的轉(zhuǎn)換,濺射出的原子有方向性。 直流輝光放電 圖 討論:平板電極間的電壓 V與電流 I的關(guān)系。導(dǎo)電而不發(fā)光。直至達(dá)到飽和值,即電流從 0逐漸增加至達(dá)到某一極大值。 原因:電離量很少且恒定。 ( 2)湯生放電區(qū) – bc段。電壓是常數(shù)(受到電源高輸出阻抗和限流電阻的限制) 原因: α 作用 (電離倍增作用)中性氣體分子間的碰撞使氣體分子電離,產(chǎn)生正離子和電子。 ( 1)和( 2) 非自持放電,即以存在自然電離源為前提。 c點(diǎn) —放電的著火點(diǎn)。電流 ↑ ,電壓 ↓ (負(fù)阻現(xiàn)象) 原因:氣體已被擊穿,氣體內(nèi)阻隨電離度的 ↑ 顯著 ↓ de段 —正常輝光放電。 有效放電面積隨電流 ↑ 而 ↑ 陰極 有效放電區(qū)內(nèi)的電流密度保持恒定。 氣體擊穿 —從非自持放電過(guò)渡到自持放電。 ( 4)反常輝光放電 ef段。(濺射區(qū)域) 特點(diǎn):電流增大時(shí),兩個(gè)放電極板之間電壓升高,且陰極電壓降的大小與電流密度和氣體壓強(qiáng)有關(guān)。電流繼續(xù) ↑ ,放電電壓再次突然大幅度 ↓ ,電流急劇 ↑ 。 阿斯頓暗區(qū)、陰極輝光區(qū)、陰極暗區(qū)、負(fù)輝光區(qū)、法拉第暗區(qū)、正柱(等離子)區(qū)、陽(yáng)極輝光區(qū)和陽(yáng)極暗區(qū)。由 Aston暗區(qū),陰極輝光區(qū)和陰極暗區(qū)三部分組成。這里電子密度和能量都太低,不能激發(fā)氣體,因此呈現(xiàn)暗區(qū)。 陰極暗區(qū)(克羅克斯暗區(qū)):二次電子和離子的主要加速區(qū) —電壓降占整個(gè)放電電壓的絕大部分。 法拉第暗區(qū):這里電子能量太低,不足以激發(fā)氣體原子。電子密度1015~1016電子數(shù) /m3,電場(chǎng)強(qiáng)度為常數(shù)。 — 陽(yáng)極附近發(fā)光區(qū)和陽(yáng)極鞘層。 陽(yáng)極暗區(qū) :實(shí)質(zhì)上是陽(yáng)極與正柱區(qū)等離子體間的鞘層。 輝光放電( glow discharge)小結(jié) 1〉 定義:氣體在低氣壓狀態(tài)下的一種自持放電。 2〉 放電通道:八個(gè)區(qū)域 3〉 產(chǎn)生原因:這些光區(qū)是空間電離過(guò)程及電荷分布所造成的結(jié)果,與氣體類別、氣體壓力、電極材料等因素有關(guān), 4〉 主要應(yīng)用:①利用它的發(fā)光效應(yīng)(如霓虹燈)和正常輝光放電的穩(wěn)壓特性 (如氖穩(wěn)壓管 )。 等離子體:具有一定導(dǎo)電能力的氣體。(電子是其導(dǎo)電過(guò)程中的主要載流子) 特點(diǎn):正、負(fù)帶電粒的數(shù)目相等,宏觀呈現(xiàn)電中性。 其特點(diǎn):質(zhì)量較大的重粒子,包括離子、中性原子和原子團(tuán)的能量遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于電子的能量,是一種非熱平衡狀態(tài)的等離子體。即任何處于等離子體中的物體相對(duì)于等離子體來(lái)講都呈現(xiàn)出負(fù)電位,并且在物體的表面附近出現(xiàn)正電荷積累。 彈性碰撞
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