chap5物理氣相沉積-在線瀏覽
2025-02-23 14:19本頁面
【正文】 蒸發(fā)：材料的溫度低于熔化溫度時(shí) ，產(chǎn)生蒸氣的過程 ， 稱為升華 ， 而熔化時(shí)產(chǎn)生蒸氣的過程稱為蒸發(fā) 。 6 ? 真空知識： PVD一般是以單質(zhì)的固體材料為源，然后設(shè)法將它變?yōu)闅鈶B(tài)，再在襯底表面淀積而成薄膜。這些氣體分子不僅嚴(yán)重妨礙了鋁、金、鉻等金屬蒸發(fā)分子由源向襯底的降落淀積，而且使每立方厘米襯底表面每秒鐘要遭受到 1018個(gè)空氣分子的撞擊，這個(gè)數(shù)值已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了金屬淀積膜的原子密度，這些物質(zhì)夾在薄膜中，必然會破壞薄膜的成分與質(zhì)量。 7 ? 本底真空度，依據(jù)淀積方法，淀積物性質(zhì)而異。這是因?yàn)殇X易被氧化之故。 ? 通常我們把大量原子或分子，兩次間碰撞自由飛行的平均長度稱為原子或分子的平均自由程（ L)。也就是說， P越低，則 L就越大。P=106mmHg時(shí)， L=5000cm。生產(chǎn)上常用的是 105~106mmHg，而蒸發(fā)源到襯底的距離大約在 10~30cm之間，即平均自由程遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于源到襯底的距離，當(dāng)源分子或原子從源材料脫離以后，就可以直線形式射到襯底上。 9 ? 一 、 真空蒸發(fā)設(shè)備 ? 三大部分 ? （ 1） 真空系統(tǒng)：為蒸發(fā)過程提供真空環(huán)境 ? （ 2） 蒸發(fā)系統(tǒng)：放置蒸發(fā)源 ， 以及加熱和測溫裝置 。 ? 真空蒸發(fā)法過程 ： ? （ 1） 加熱蒸發(fā)過程 ? （ 2） 氣化原子或分子在蒸發(fā)源與基片之間的輸運(yùn)過程 ? （ 3）被蒸發(fā)的原子或分子在襯底表面的淀積過程 10 蒸發(fā)原理圖 11 ? 二 、 汽化熱和蒸汽壓 ? 三 、 真空度與分子平均自由程 ? 四 、 多組成薄膜的蒸發(fā)方法 ? 單源蒸發(fā)法：單源 ， 合金溶液 ? 多源同時(shí)蒸發(fā)法：多坩堝 ， 同時(shí)蒸發(fā) ? 多源順序蒸發(fā)法：多坩堝 ， 按順序蒸發(fā) 12 蒸發(fā)源
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