工藝技術(shù)薄膜工藝－淀積-在線瀏覽
2025-06-15 01:33本頁面
【正文】 onfidential CVD的反應(yīng)速度取決于 質(zhì)量傳輸 和表面反應(yīng) 兩個(gè)因素 。 在質(zhì)量傳輸階段淀積工藝對(duì)溫度不敏感，這意味著無論溫度如何，傳輸?shù)焦杵砻婕铀俜磻?yīng)的反應(yīng)氣體的量都不足。 Confidential ? 速度限制 在更低的反應(yīng)溫度和壓力下，反應(yīng)物到達(dá)硅片表面的速度將超過表面化學(xué)反應(yīng)的速度。最終反應(yīng)物達(dá)到硅片表面的速度將超過表面化學(xué)反應(yīng)的速度。淀積速度是受化學(xué)反應(yīng)速度限制的，此時(shí)稱速度限制。 LPCVD的反應(yīng)室通常是 反應(yīng)速度限制的 。 與 APCVD相比 ， LPCVD系統(tǒng)有 更低的成本 、 更高的產(chǎn)量 及 更好的膜性能 。 當(dāng)從中性原子中去除一個(gè)價(jià)電子時(shí) ， 形成正離子和自由電子 。 等離子體輔助 CVD Confidential 離子的形成 F +9 離子是質(zhì)子（＋）與電子（－）數(shù)不等地原子 電子從主原子中分離出來 . 少一個(gè)電子的氟原子 到原子失去一個(gè)電子時(shí)產(chǎn)生一個(gè)正離子 F +9 具有質(zhì)子（＋ 9）和電子（－ 9）數(shù)目相等地中性粒子是原子 氟原子總共有 7個(gè)價(jià)電子 價(jià)層環(huán)最多能有 8個(gè)電子 價(jià)層電子 （－） 內(nèi)層電子（－） 在原子核中的質(zhì)子（未顯示電子） Confidential CVD 過程中使用等離子體的好處 1. 更低的工藝溫度 (250 – 450℃ )； 2. 對(duì)高的深寬比間隙有好的填充能力 (用高密度等離子體 )； 3. 淀積的膜對(duì)硅片有優(yōu)良的黏附能力； 4. 高的淀積速率； 5. 少的針孔和空洞，因?yàn)橛懈叩哪っ芏龋? 6. 工藝溫度低，因而應(yīng)用范圍廣。 Psilicon epi layer P+silicon substrate s ilic o n d io x id e ( o x id e )p s ilic o n e p i la y e rp + s ilic o n s u b s t r a t e用 CVD淀積不同的材料薄膜 Confidential 硅片上外延生長硅 Si Si Cl Cl H H Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Cl H Cl H 化學(xué)反應(yīng) 副產(chǎn)物 淀積的硅 外延層 多晶硅襯底 Confidential –外延的主要優(yōu)點(diǎn) ? 可根據(jù)需要方便地控制薄層單晶的電阻率、電導(dǎo)類型、厚度及雜質(zhì)分布等參數(shù)，增加了工藝設(shè)計(jì)和器件制造的靈活性。 – 低溫 CVD氧化層：低于 500℃ – 中等溫度淀積： 500～ 800℃ – 高溫淀積： 900℃ 左右 薄膜摻雜 PSG、 BSG、 BPSG、 FSG Confidential TEOS Source n w e l lp c h a n n e l t r a n s i s t o rp w e l ln c h a n
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