ic工藝技術(shù)6_外延-在線瀏覽
2025-03-25 18:28本頁面
【正文】 自摻雜 當(dāng) D自摻量 D摻雜時影響不大 當(dāng) D自摻雜與 D摻雜接近時 ,影響就明顯 ,甚至難控制 。停滯層襯底外延過程中氣流和雜質(zhì)的走向具體案例： 重摻襯底使外延電阻率降低.自 摻雜 量的估算： 在重 摻銻 的 N+襯 底上外延 本征外延：陪片 ρ100Ωcm N+ ρ=1826Ωcm 摻雜 外延： DN=60cc 陪片 ρ=11Ωcm N=*1014 N+ ρ=7Ωcm N=*1014 自 摻雜 量： ?=*1014不同的加熱方式可以產(chǎn)生不同的自摻雜結(jié)果，外延過程使基座上的硅向硅片背面轉(zhuǎn)移，使重摻襯底的雜質(zhì)封住，減少自摻雜。 所以紅外加熱要比感應(yīng)加熱自摻雜要嚴重，過渡區(qū)也差一些 T2 T3 T4基座溫度 T1T1T2T3T4感應(yīng)加熱外延的過渡區(qū) 1) 過渡區(qū)的定義： 在外延與襯底界面 外延電阻率差二個 數(shù)量級 2) 過渡區(qū)寬度對器件的影 響：過渡區(qū)小 好 3) 影響過渡區(qū)的因素： a襯底外擴散 b自摻雜 c外延主摻雜 c b a以 P/P+為例減少自摻雜的試驗 外延條件 外延結(jié)果 ΩCM 40 ΩCM 95 1220186。C 95 1080 50 1100 6 1181。(111)硅片的滑移線滑移線?產(chǎn)生原因 ：硅片在熱處理過程中，受熱不均勻， 在 1200186。C時 ，其屈 應(yīng)力大于 1000PSI，易產(chǎn) 生滑移 線 ，它會 嚴重地影響成品率。外延后埋層圖形變粗糙與外延的氣氛及埋盡的表面狀變有關(guān)外延系統(tǒng)有輕微漏氣外延后有輕微白霧下圖是經(jīng)鉻酸腐蝕后看到的層錯和霧類似三角形缺陷? 原因：表面氧化層沒去凈 襯底滯留層對流層減壓外延使滯留層減薄 ,大部分雜質(zhì)進入對流層帶走減壓壓力與過渡區(qū)的關(guān)系壓力對圖形漂移的影響壓力與過渡區(qū)寬度三 .外延設(shè)備簡介 臥式爐 立式爐 筒式爐 大直徑硅片外延爐 紅外加熱 ： 硅片溫度高于基座不易產(chǎn)生滑移線 高頻加熱 ： 基座溫度高于硅片 ,硅片和基座 溫差大45186。硅片背面易長多晶。C 易產(chǎn)生滑移線， 但自摻雜少。 不同外延爐的結(jié)構(gòu)當(dāng)前常見幾種外延爐優(yōu)缺點比較： 紅外加熱： AMC7700 7810 MTC7700K 高頻 感應(yīng)加熱： gemini2(180khz) 低頻感應(yīng)加熱： LPE2061S (4khz) EPI PRO5000(25khz) 大直徑硅片外延爐： ASM
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