薄膜工藝技術(shù)-在線瀏覽
2025-02-19 15:54本頁(yè)面
【正文】 SIH2CL2+NH3= 鈍化： SN對(duì)堿金屬和水氣極強(qiáng)的擴(kuò)散阻擋能力 3 ：關(guān)于 TEOS TEOS結(jié)構(gòu)： 用 TEOS代替普通 SIO2原因：用于 IMD，臺(tái)階覆蓋性極好；熱穩(wěn)定性好；相對(duì)普通的二氧化硅，較致密 缺點(diǎn)：顆粒度 與 TEOS相對(duì)應(yīng)， BPSG可用 TMB， TMPO來(lái)沉積。 4： Tungsten plug（畫(huà)圖） 用于上下金屬層間的中間金屬連接物，用鎢的原因？基本上會(huì)用鎢來(lái)作為半導(dǎo)體元件的金屬內(nèi)連線。 A. APCVD（工作特點(diǎn)，缺點(diǎn)？） B. LPCVD（比較普遍的原因） C. PECVD（占 CVD主流的原因：低壓和低溫） D. 下面主要介紹 LPCVD和 PECVD E. 1： LPCVD ? 結(jié)構(gòu) (畫(huà)圖） ? 工作原理及壓力 2： PECVD ? 工作原理：能夠低溫反應(yīng)的原因 ? 結(jié)構(gòu) 3： LPCVD和 PECVD沉積膜差別 一般的， PECVD主要用來(lái)沉積介電材料膜。 對(duì)于介電材料膜區(qū)別： ① SIO2：主要是臺(tái)階覆蓋性區(qū)別（ IMD）。而 PECVD 是以SIH4為主的反應(yīng)物，成分不如 LP的單純。由于 PECVD可以憑借 RF功率的調(diào)整，來(lái)控制離子對(duì)沉積膜的轟擊，使SN應(yīng)力下降。這可以說(shuō)是以 PECVD法進(jìn)行薄膜沉積時(shí)除了反應(yīng)溫度的另外一個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)。 當(dāng)然，薄膜技術(shù)并不僅僅局限于半導(dǎo)體行業(yè)，在其他的許多行業(yè)，如需要沉積金剛石或類(lèi)金剛石以及有機(jī)物膜時(shí)，傳統(tǒng)的 CVD和 PVD便出現(xiàn)了瓶頸。 Thanks 靜夜四無(wú)鄰，荒居舊業(yè)貧。 22:52:2722:52:2722:522/3/2023 10:52:27 PM 1以我獨(dú)沈久，愧君相見(jiàn)頻。 22:52:2722:52:2722:52Friday, Fe
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