離子注入ppt課件(2)-在線瀏覽
2025-06-21 08:07本頁面
【正文】 1203 As RP 673 1129 1553 1966 2375 2783 3192 3602 4015 ?RP 126 207 286 349 415 480 543 606 667 （三）各種離子在 SiO2中的 Rp和△ Rp 值 (197。) 入射能量 （ KEV） 注入的離子 20 40 60 80 100 120 140 160 180 B RP 480 990 1482 1950 2396 2820 3226 3617 3994 ?RP 196 326 422 496 555 605 647 684 716 P RP 154 300 453 612 774 939 1105 1271 1437 ?RP 65 118 168 215 259 301 340 377 411 As RP 99 169 235 301 367 433 500 586 637 ?RP 33 56 77 97 118 137 157 176 195 ? 例題： 1. 已知某臺離子注入機的束斑為 、束流為、注入時間為 16ms，試計算硼離子（ B+）注入劑量。已知襯底摻雜濃度為 1 1015cm3，注入能量： 60KEV，注入劑量： ，試計算硼離子注入分布的最大摻雜濃度 Nmax和注入結(jié)深。（注：電子電荷 q = 10－ 19庫侖） 1 4 21 9 22 1 6 101 . 6 1 0 1 2I t m A m s cmqnA C c m? ?? ?? ? ?? ? ?2. 在 N型 〈 111〉 襯底硅片上，進行硼離子注入，形成PN結(jié)二極管。 1 4 21 9 30 .4 0 .4 5 1 0 3 .6 1 0556M A X PcmN c mRA??????? ? ? ?? ?? ?1 9 3 1 5 32 l n1903 556 2 l n 10 104450j P P M A X Bx R R N NA A c m c mA?????? ? ?? 離子注入效應(yīng) 1. 溝道效應(yīng) 2. 注入損傷 3. 離子注入退火 ? 溝道效應(yīng) 當注入離子未與硅原子碰撞減速，而是穿透了晶格間隙時（見下圖）就發(fā)生了溝道效應(yīng)。 可同時減小離子注入損傷 產(chǎn)生不需要的氧注入 有效性與厚度、注入能量、方向、雜質(zhì)種類相關(guān) ? 控制溝道效應(yīng)的方法 3. 硅預(yù)非晶化 ：高能 Si注入提前破壞晶格結(jié)構(gòu) 低能量（ 1KEV）淺注入應(yīng)用非常有效 4. 使用質(zhì)量較大的原子 ：形成非晶層 ? 注入損傷 高能雜質(zhì)離子轟擊硅原子將產(chǎn)生晶格損傷 （ a）輕離子損傷情況 （ b）重離子損傷情況 ? 離子注入退火 ? 工藝目的： 消除晶格損傷，并且使注入的雜質(zhì)轉(zhuǎn)入替位位置從而實現(xiàn)電激活。 2 . 快速熱退火 采用 RTP，在較短的時間（ 10－ 3～ 10－ 2 秒）內(nèi)完成退火。 ? 穿通阻擋層注入 ? 作用： 防止亞微米及以下的短溝道器件源漏穿通，
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