離子注入ppt課件(2)(編輯修改稿)
2025-05-31 08:07 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 60 80 100 120 140 160 180 B RP 622 1283 1921 2528 3140 3653 4179 4685 5172 ?RP 252 418 540 634 710 774 827 874 914 P RP 199 388 586 792 1002 1215 1429 1644 1859 ?RP 84 152 216 276 333 387 437 485 529 As RP 127 217 303 388 473 559 646 734 823 ?RP 43 72 99 125 151 176 201 226 251 （四）各種離子在 Si3N4中的 Rp和△ Rp 值 (197。) 入射能量 （ KEV） 注入的離子 20 40 60 80 100 120 140 160 180 B RP 480 990 1482 1950 2396 2820 3226 3617 3994 ?RP 196 326 422 496 555 605 647 684 716 P RP 154 300 453 612 774 939 1105 1271 1437 ?RP 65 118 168 215 259 301 340 377 411 As RP 99 169 235 301 367 433 500 586 637 ?RP 33 56 77 97 118 137 157 176 195 ? 例題： 1. 已知某臺(tái)離子注入機(jī)的束斑為 、束流為、注入時(shí)間為 16ms，試計(jì)算硼離子（ B+）注入劑量。（注：電子電荷 q = 10－ 19庫(kù)侖） 2. 在 N型 〈 111〉 襯底硅片上，進(jìn)行硼離子注入，形成PN結(jié)二極管。已知襯底摻雜濃度為 1 1015cm3，注入能量： 60KEV，注入劑量： ，試計(jì)算硼離子注入分布的最大摻雜濃度 Nmax和注入結(jié)深。 1. 已知某臺(tái)離子注入機(jī)的束斑為 、束流為、注入時(shí)間為 16ms，試計(jì)算硼離子（ B+）注入劑量。（注：電子電荷 q = 10－ 19庫(kù)侖） 1 4 21 9 22 1 6 101 . 6 1 0 1 2I t m A m s cmqnA C c m? ?? ?? ? ?? ? ?2. 在 N型 〈 111〉 襯底硅片上，進(jìn)行硼離子注入，形成PN結(jié)二極管。已知襯底摻雜濃度為 1 1015cm3，注入能量： 60KEV，注入劑量： ，試計(jì)算硼離子注入分布的最大摻雜濃度 Nmax和注入結(jié)深。 1 4 21 9 30 .4 0 .4 5 1 0 3 .6 1 0556M A X PcmN c mRA??????? ? ? ?? ?? ?1 9 3
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