離子注入ppt課件(2)-wenkub
2023-05-19 08:07:44 本頁面
【正文】 （注：電子電荷 q = 10－ 19庫侖） 1 4 21 9 22 1 6 101 . 6 1 0 1 2I t m A m s cmqnA C c m? ?? ?? ? ?? ? ?2. 在 N型 〈 111〉 襯底硅片上，進行硼離子注入，形成PN結(jié)二極管。) 入射能量 （ KEV） 注入的離子 20 40 60 80 100 120 140 160 180 B RP 480 990 1482 1950 2396 2820 3226 3617 3994 ?RP 196 326 422 496 555 605 647 684 716 P RP 154 300 453 612 774 939 1105 1271 1437 ?RP 65 118 168 215 259 301 340 377 411 As RP 99 169 235 301 367 433 500 586 637 ?RP 33 56 77 97 118 137 157 176 195 ? 例題： 1. 已知某臺離子注入機的束斑為 、束流為、注入時間為 16ms，試計算硼離子（ B+）注入劑量。 ? 離子的平均投影射程 RP為 其中 N為入射離子總數(shù)， RPi為第 i個離子的投影射程 ? 離子投影射程的平均標準偏差△ RP為 其中 N為入射離子總數(shù) Rp 為平均投影射程 Rpi為第 i個離子的投影射程 ? ? 2,P P iPRRRN????? 離子注入濃度分布 LSS理論描述了注入離子在無定形靶中的濃度分布為高斯分布其方程為 其中 φ為注入劑量 χ為離樣品表面的深度 Rp為平均投影射程 △ Rp為投影射程的平均標準偏差 ? 離子注入的濃度分布曲線 ? 離子注入濃度分布的最大濃度 Nmax 從上式可知， 注入離子的劑量 φ越大，濃度峰值越高 從濃度分布圖看出， 最大濃度位置在樣品內(nèi)的平均投 影射程處 ? 離子注入結(jié)深 Xj m a xj p pB2 l nNx R RN??? ? ? ????其中 NB為襯底濃度 ? RP和△ RP的計算很復(fù)雜，有表可以查用 入射能量 （ KEV） 注入的離子 20 40 60 80 100 120 140 160 180 B RP 662 1302 1903 2465 2994 3496 3974 4432 4872 ?RP 283 443 556 641 710 766 813 854 890 P RP 253 486 730 891 1238 1497 1757 2022 2279 ?RP 119 212 298 380 45
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