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離子注入ppt課件(2)-展示頁

2025-05-13 08:07本頁面
  

【正文】 一定能量的離子入射靶中,與靶原子和電子發(fā)生一系列碰撞(即受到了核阻止和電子阻止)進(jìn)行能量的交換,最后損失了全部能量停止在相應(yīng)的位置,離子由進(jìn)入到停止所走過的總距離,稱為 射程 用 R表示。 投影射程也是停止點與靶表面的垂直距離。 ? 離子的平均投影射程 RP為 其中 N為入射離子總數(shù), RPi為第 i個離子的投影射程 ? 離子投影射程的平均標(biāo)準(zhǔn)偏差△ RP為 其中 N為入射離子總數(shù) Rp 為平均投影射程 Rpi為第 i個離子的投影射程 ? ? 2,P P iPRRRN????? 離子注入濃度分布 LSS理論描述了注入離子在無定形靶中的濃度分布為高斯分布其方程為 其中 φ為注入劑量 χ為離樣品表面的深度 Rp為平均投影射程 △ Rp為投影射程的平均標(biāo)準(zhǔn)偏差 ? 離子注入的濃度分布曲線 ? 離子注入濃度分布的最大濃度 Nmax 從上式可知, 注入離子的劑量 φ越大,濃度峰值越高 從濃度分布圖看出, 最大濃度位置在樣品內(nèi)的平均投 影射程處 ? 離子注入結(jié)深 Xj m a xj p pB2 l nNx R RN??? ? ? ????其中 NB為襯底濃度 ? RP和△ RP的計算很復(fù)雜,有表可以查用 入射能量 ( KEV) 注入的離子 20 40 60 80 100 120 140 160 180 B RP 662 1302 1903 2465 2994 3496 3974 4432 4872 ?RP 283 443 556 641 710 766 813 854 890 P RP 253 486 730 891 1238 1497 1757 2022 2279 ?RP 119 212 298 380 456 528 595 659 719 As RP 159 269 374 478 582 686 791 898 1005 ?RP 59 99 136 172 207 241 275 308 341 (一)各種離子在 Si中的 Rp和△ Rp 值 (197。) 入射能量 ( KEV) 注入的離子 20 40 60 80 100 120 140 160 180 B RP 2267 4587 6736 8721 10569 12305 13947 15511 17007 ?RP 475 763 955 1095 1202 1288 1359 1420 1472 P RP 866 1654 2474 3320 4182 5053 5927 6803 7675 ?RP 198 353 499 636 765 886 999 1104
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