【正文】 ??）））– 能量損失 – 注入離子的分布 N（ x）（無電子散射） 注入劑量 ?0（ atom/cm2），射程： Rp 標準偏差 ?Rp Scanning disk with wafers Scanning direction Faraday cup Suppressor aperture Current integrator Sampling slit in disk Ion beam – 對于無定型材料， – 有： 為高斯分布 – 97頁 圖 ??????????????????????2021exp2)(ppp RRxRxN????????????titipp MMMMRR32– 平均射程 pRPage 107 – 多能量、多劑量注入 – . 設備 Analyzing Mag Graphite Ion source Analyzing mag Ion beam Extraction assembly Lighter ions Heavy ions Neutrals Figure . 溝道效應和盧瑟福背散射 6. 2. （ page 101） 溝道峰 – 溝道效應的消除 (臨界角） – 4. 2. RBSC 作用？。聚焦離子束技術 7。淺結(jié)工藝 8。摻雜（ P。遮擋 (注入陰影效應 Implant Shadowing)（ P119） 4. 硅片充電 Resist a) Mechanical scanning with no tilt Ion beam b) Electrostatic scanning with normal tilt Resist Electron Shower for Wafer Charging Control Adapted from Eaton NV10 ion implanter, circa 1983 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + Biased aperture Electron gun Secondary electron target Secondary electrons +Ion electron rebination Wafer Figure 一次電子 (幾百 eV) 二次電子 (20eV) 不能有高能電子 ! Plasma Flood to Control Wafer Charging Biased aperture Ion beam Neutralized atoms Wafer scan direction Current (dose) monitor Plasma electron flood chamber Argon gas inlet Electron emission Chamber wall + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + S N S N + + + + + + + Ar Ar Ar 高能 離子注入設計