第4章ic工藝之離子注入-全文預(yù)覽
【正文】 D o pe d P o l y s il i c o n P o r B I o n I m p l a n t o r Di f f u s i o n O. D o pe d S i O2 P o r B I o n I m p l a n t o r Di f f u s i o n Ion Implant in Process Flow Implant Diffusion Test/Sort Etch Polish Photo Completed wafer Unpatterned wafer Wafer start Thin Films Wafer fabrication (frontend) Hard mask (oxide or nitride) Anneal after implant Photoresist mask . 離子注入原理 . 物理原理 () 通過(guò)改變高能離子的能量，控制注入離子在靶材料中的位置。 111） 與什么因素有關(guān)？ 如何則量？ Annealing of Silicon Crystal Repaired Si lattice structure and activated dopantsilicon bonds b) Si lattice after annealing a) Damaged Si lattice during implant Ion Beam Figure – 熱退 – P107 等時(shí)退火 Isochronal Annealing 等溫退火 Isothermal Annealing ??? ?/exp()( 0 tNTtN 、 )/exp( kTEA e??1）激活率 (成活率 )（ %） Si： P、 B?100%， As ?50% 2）臨界通量 ?C(cm2) 與注入離子種類(lèi)、大小，能量有關(guān) 與注入時(shí)的襯底溫度有關(guān) 3）退火后的雜質(zhì)再分布 （ P。遮擋 (注入陰影效應(yīng) Implant Shadowing)（ P119） 4. 硅片充電 Resist a) Mechanical scanning with no tilt Ion beam b) Electrostatic scanning with normal tilt Resist Electron Shower for Wafer Charging Control Adapted from Eaton NV10 ion implanter, circa 1983 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + Biased aperture Electron gun Secondary electron target Secondary electrons +Ion electron rebination Wafer Figure 一次電子 (幾百 eV) 二次電子 (20eV) 不能有高能電子 ! Plasma Flood to Control Wafer Charging Biased aperture Ion beam Neutralized atoms Wafer scan direction Current (dose) monitor Plasma electron flood chamber Argon gas inlet Electron emission Chamber wall + + + + + + + +
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