第4章ic工藝之離子注入(編輯修改稿)
2025-03-08 08:10 本頁面
【文章內容簡介】 page 101） 溝道峰 – 溝道效應的消除 (臨界角） – 4. 2. RBSC 作用？。 – . 注入離子的激活與輻照損傷的消除 ~112 1）注入離子未處于替位位置 2）晶格原子被撞離格點 Ea為原子的位移閾能 atitiT EfEMMMME ??? )((40 ?）大劑量 —— 非晶化 臨界劑量（ P。 111） 與什么因素有關？ 如何則量？ Annealing of Silicon Crystal Repaired Si lattice structure and activated dopantsilicon bonds b) Si lattice after annealing a) Damaged Si lattice during implant Ion Beam Figure – 熱退 – P107 等時退火 Isochronal Annealing 等溫退火 Isothermal Annealing ??? ?/exp()( 0 tNTtN 、 )/exp( kTEA e??1）激活率 (成活率 )（ %） Si： P、 B?100%， As ?50% 2）臨界通量 ?C(cm2) 與注入離子種類、大小，能量有關 與注入時的襯底溫度有關 3）退火后的雜質再分布 （ P。 111） 4）退火方式：“慢退火”，快速熱退火 分步退火 5） 退火完成的指標：電阻率、遷移率、少子壽命 – 1。離子源：汽化 ?高壓電離 多價問題 分子態(tài) —原子態(tài)問題 （產額問題） 2。選擇性摻雜的掩膜 SiO Si3N光刻膠、各種金屬膜 ? P離子注入 Si SiO2 Si3N4 E (keV) Rp (?m) ?Rp (?m) Rp (?m) ?Rp (?m) Rp (?m) ?Rp (?m) 10 20 50 100 有掩膜時的注入雜質分布 ？ Controlling Dopant Concentration and Depth a) Low dopant concentration (n–, p–) and shallow junction (xj) Mask Mask Silicon substrate xj Low energy Low dose Fast scan speed Beam scan Dopant ions Ion implanter b) High dopant concentration (n+, p+) and deep junction (xj) Beam scan High energy High dose Slow scan speed Mask Mask Silicon substrate xj Ion implanter Figure 3。遮擋 (注入陰影效應 Implant Shadowing)（ P119） 4. 硅片充電 Resist a) Mechanical scanning with no tilt Ion beam b) Electrostatic scanning with normal tilt Resist Electron Shower for Wafer Charging Control Adapted from Eaton NV10 ion implanter, circa 1983 + + +
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