【摘要】Chapter?8離子注入1目標(biāo)?至少列出三種最常使用的摻雜物?辨認(rèn)出至少三種摻雜區(qū)域?描述離子注入的優(yōu)點(diǎn)?描述離子注入機(jī)的主要部分?解釋通道效應(yīng)?離子種類和離子能量的關(guān)系?解釋后注入退火?辨認(rèn)安全上的危害2離子注入?簡介?安全性?硬件?制程?概要3材料設(shè)計(jì)光罩IC生產(chǎn)
2025-04-02 12:19
【摘要】集成電路工藝技術(shù)講座第五講離子注入Ionimplantation引言?半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用的離子注入是將高能量的雜質(zhì)離子導(dǎo)入到半導(dǎo)體晶體,以改變半導(dǎo)體,尤其是表面層的電學(xué)性質(zhì).?注入一般在50-500kev能量下進(jìn)行離子注入的優(yōu)點(diǎn)?注入雜質(zhì)不受材料溶解度,擴(kuò)散系數(shù),化學(xué)結(jié)合力的限制,原則上對(duì)各種材料都可摻雜?可精確控制能量和劑量,從而精確控
2025-03-25 18:28
【摘要】第七章離子注入?離子注入基本概念?離子注入的特點(diǎn)?離子注入系統(tǒng)組成?注入損傷和退火?離子注入的應(yīng)用§離子注入離子注入:將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)。物理過程,不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。離子注入機(jī)示意圖離子源
2025-05-09 06:44
【摘要】第四章:離子注入技術(shù)問題的提出:–短溝道的形成?–GaAs等化合物半導(dǎo)體?(低溫?fù)诫s)–低表面濃度?–淺結(jié)?–縱向均勻分布或可控分布?–大面積均勻摻雜?–高純或多離子摻雜?要求掌握:–基本工藝流程(原理和工藝控制參數(shù))–選擇性摻雜的掩蔽膜(Mask)–質(zhì)量控制和檢測
2025-03-22 08:10
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第七章?離子注入原理(上)有關(guān)擴(kuò)散方面的主要內(nèi)容?費(fèi)克第二定律的運(yùn)用和特殊解?特征擴(kuò)散長度的物理含義?非本征擴(kuò)散?常用雜質(zhì)的擴(kuò)散特性及與點(diǎn)缺陷的相互作用?常用擴(kuò)散摻雜方法?常用擴(kuò)散摻雜層的質(zhì)量測量Distribution?according?
2025-04-02 12:18
【摘要】1Chapter?8離子注入2目標(biāo)?至少列出三種最常使用的摻雜物?辨認(rèn)出至少三種摻雜區(qū)域?描述離子注入的優(yōu)點(diǎn)?描述離子注入機(jī)的主要部分?解釋通道效應(yīng)?離子種類和離子能量的關(guān)系?解釋后注入退火?辨認(rèn)安全上的危害3離子注入?簡介?安全性?硬件?制程?概要4材料設(shè)計(jì)光罩I
2025-04-02 12:22
【摘要】離子注入工藝及設(shè)備研究畢業(yè)設(shè)計(jì)論文離子注入工藝及設(shè)備研究系電子信息工程系專業(yè)微電子技術(shù)姓名班級(jí)微電103學(xué)號(hào)1001113110指導(dǎo)教師職稱講師指導(dǎo)教師
2024-09-19 13:22
【摘要】電子科技大學(xué)中山學(xué)院Chap4離子注入?核碰撞和電子碰撞?注入離子在無定形靶中的分布?注入損傷?熱退火電子科技大學(xué)中山學(xué)院離子注入?離子注入是一種將帶電的且具有能量的粒子注入襯底硅的過程,注入能量介于1KeV到1MeV之間,注入深度平均可達(dá)10nm~10um。離子劑量變動(dòng)范圍,從用于閾值電壓調(diào)
2025-02-09 13:40
【摘要】微電子工藝基礎(chǔ)第9章?lián)诫s技術(shù)1微電子工業(yè)基礎(chǔ)第9章?lián)诫s技術(shù)本章目標(biāo):1、熟悉摻雜技術(shù)的兩種方式2、熟悉擴(kuò)散摻雜的原理3、掌握離子注入相關(guān)概念及其原理4、熟悉離子注入的工藝流程5、了解離子注入系統(tǒng)的設(shè)備及其優(yōu)點(diǎn)微電子工業(yè)基礎(chǔ)
2025-02-02 04:40
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)第七章離子注入原理(上)有關(guān)擴(kuò)散方面的主要內(nèi)容?費(fèi)克第二定律的運(yùn)用和特殊解?特征擴(kuò)散長度的物理含義?非本征擴(kuò)散?常用雜質(zhì)的擴(kuò)散特性及與點(diǎn)缺陷的相互作用?常用擴(kuò)散摻雜方法?常用擴(kuò)散摻雜層的質(zhì)量測量Distributionaccordingtoerrorfunction???
2025-04-05 15:32
【摘要】微電子工藝學(xué)MicroelectronicProcessing第四章?lián)诫s原理與技術(shù)張道禮教授Email:Voice:87542894摻雜(doping):將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入硅中,并獲得精確的雜質(zhì)分布形狀(dopingprofile)。摻雜應(yīng)用:MOSFET:阱、柵、源/漏、溝道等BJT:基
2025-06-24 13:19
【摘要】中國工程物理研究院碩士學(xué)位論文離子注入碳后鈾表面吸附行為研究申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):核燃料循環(huán)與材料離子注入碳后鈾表面吸附行為研究摘要本文利用俄歇電子能譜(AE
2024-11-01 14:45
【摘要】金屬工業(yè)離子注入機(jī)項(xiàng)目可行性研究報(bào)告(立項(xiàng)+批地+貸款)編制單位:北京中投信德國際信息咨詢有限公司編制時(shí)間:二〇二二二〇二二年六月咨詢師:高建目錄目錄 2專家答疑: 4一、可研報(bào)告定義: 4二、可行性研究報(bào)告的用途 41.用于向投資主管部門備案、行政審批的可行性研究報(bào)告 52.用于向金融機(jī)構(gòu)貸款的可行性研究報(bào)告 5
2025-06-23 01:33
【摘要】現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝桂林電子科技大學(xué)雜質(zhì)摻雜1雜質(zhì)摻雜現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices2022,7,30現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝桂林電子科技大學(xué)雜質(zhì)摻雜2雜質(zhì)摻雜所謂雜質(zhì)摻雜是將可控?cái)?shù)量的雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體內(nèi)。雜質(zhì)摻雜
2025-06-21 01:59
2025-06-21 02:04