第4章ic工藝之離子注入-wenkub
2023-03-09 08:10:22 本頁面
【正文】 – 4. 2. RBSC 作用？。 – . 注入離子的激活與輻照損傷的消除 ~112 1）注入離子未處于替位位置 2）晶格原子被撞離格點(diǎn) Ea為原子的位移閾能 atitiT EfEMMMME ??? )((40 ?）大劑量 —— 非晶化 臨界劑量（ P。選擇性摻雜的掩膜 SiO Si3N光刻膠、各種金屬膜 ? P離子注入 Si SiO2 Si3N4 E (keV) Rp (?m) ?Rp (?m) Rp (?m) ?Rp (?m) Rp (?m) ?Rp (?m) 10 20 50 100 有掩膜時(shí)的注入雜質(zhì)分布 ？ Controlling Dopant Concentration and Depth a) Low dopant concentration (n–, p–) and shallow junction (xj) Mask Mask Silicon substrate xj Low energy Low dose Fast scan speed Beam scan Dopant ions Ion implanter b) High dopant concentration (n+, p+) and deep junction (xj) Beam scan High energy High dose Slow scan speed Mask Mask Silicon substrate xj Ion implanter Figure 3。淺結(jié)形成（ Shallow Junction Formation, p116) 3。聚焦離子束技術(shù) 7。雜質(zhì)總量可控 2。注入劑量范圍寬（ 1011~1017cm3），劑量控制精度高（ 1%） 6。光刻標(biāo)記問題 – .離子注入設(shè)計(jì) SUPREM和 TRIM Code 是否掌握了？ – 基本工藝流程（原理和工藝控制參數(shù)） – 選擇性摻雜的掩蔽膜（ Mask） – 質(zhì)量控制和檢測 – 后退火工藝的目的與方法 – 溝道效應(yīng) – 在器件工藝中的各種主要應(yīng)用 – 離子注入技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn) – 劑量和射程在注入工藝中的重要性 – 離子注入系統(tǒng)的主要子系統(tǒng) – 。淺結(jié)工藝 8。深度及分布可控 4。 gate oxide 54 nm arsenic implanted layer Poly gate P118 CMOS Transistors with and without SIMOX Buried Oxide Layer a) Common CMOS wafer construction nwell pwell Epi layer Silicon substrate b) CMOS wafer with SIMOX buried layer nwell pwell Implanted silicon dioxide Silicon substrate Silicon substrate Dose Versus Energy Map Proximity gettering Present applications Evolving applications Poly doping Source/drain Damage engineering Buried layers Retrograde wells Triple wells Vt adjust Channel and drain engineering 1 10 100 1000 10,000 1016 1011 1012 10
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1