第8章ic工藝晶體外延生長(zhǎng)技術(shù)-在線瀏覽
2025-03-30 12:03本頁(yè)面
【正文】 – 外延層中的摻雜 在外延反應(yīng)劑中加入摻雜劑 （如： PH PCl PCl AsCl AsHSbCl SbH3和 BBr BCl B2H6等） – 1）摻雜濃度受汽相中的摻雜劑分氣壓控制 00)/( GSifSifPHNPNN?? – 2）生長(zhǎng)速率和溫度的影響 為什么溫度升高會(huì)使?jié)舛冉档停? Silicon Vapor Phase Epitaxy Reactors Exhaust Exhaust Exhaust RF heating RF heating Gas inlet Gas inlet Horizontal reactor Barrel reactor Vertical reactor – 外延過(guò)程中的雜質(zhì)再分布和自摻雜 – 1）襯底雜質(zhì)的再分布 N1 （見(jiàn) page 228） – 在外延區(qū)： 時(shí)（一般都成立） – 2）摻入雜質(zhì)的再分布 總分布為： N=N1+N2 tDvt 1??)2(erfc21),(11 tDxNtxNsub? )]2(erfc21[1),(12 tDxNtxNf? – 3）自摻雜（ autodoping）效應(yīng) 襯底中的雜質(zhì)不斷地蒸發(fā)出來(lái)，進(jìn)入總氣流并摻入外延層。,含 Cl, (100) ? GaAs外延生長(zhǎng)工藝 – 1）汽相外延 (369~371) 難點(diǎn)： As壓與生長(zhǎng)速率的控制（缺陷） – 2）液相外延 （ LPE） 特點(diǎn)：雜質(zhì)均勻、缺陷少，表面質(zhì)量差、厚度不易控制 ? 異質(zhì)結(jié)問(wèn)題 (370~372) – 晶格失配 對(duì)策：襯底材料的晶向、過(guò)度層 – 缺陷控制和摻雜問(wèn)題 對(duì)策：催化、過(guò)度層；新技術(shù)； – 主
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