第8章ic工藝晶體外延生長技術-資料下載頁
2025-02-26 12:03本頁面
【正文】 ＭＩ、ＴＭＧａ） 三乙基銦（ＴＥＩ） MR3（金屬烷基） +XH3（氫化物） =MX+3RH 如： Ga（ CH3） 3+AsH3=GaAs+3CH4 又如： xAlCH3） 3+（ 1x） Ga（ CH3） 3+AsH3= GaAs+3CH4 – 特點：低溫分解（ 500176。C）、生長速率易于控制、雜質易于控制、生產效率遠高于 MBE – 3) SOI (Silicon on Insulators) *SOS （ Silicon on Sapphire) 是一種異質外延，通常 Sapphire的晶向選為（ 0112）、（ 1012）、（ 1102）等 *SIMOX ( Separation by Implanted Oxygen) 目前已經(jīng)較廣泛應用 *Wafer Bonding（ Smart Cut） To form gas void layer 對于 Si 低溫 600176。C； 高質量薄外延層 ?m 表面粗糙度2197。 均勻性 ~5%（ ?~200mm） 金屬污染5x1010/cm3 ? 選擇性外延 (SEG) Epilayer Formation during PlasmaBased PECVD reactor Continuous film 8) Byproduct removal 1) Reactants enter chamber Substrate 2) Dissociation of reactants by electric fields 3) Film precursors are formed 4) Adsorption of precursors 5) Precursor diffusion into substrate 6) Surface reactions 7) Desorption of byproducts Exhaust Gas delivery RF generator Byproducts Electrode Electrode RF field 重點掌握： Si集成電路工藝中的外延技術 異質結外延中的幾個工藝難點 分子束（ MBE）和金屬氧化物外延（ MOCVD）的主要原理和工藝特點
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