《離子注入培訓(xùn)資料》ppt課件-全文預(yù)覽
【正文】 中性 ,這樣一方面它消除了硅片正電勢的累積 ,另一方面起到聚攏正離子的作用 . ? 離子束聚焦 在離子源工作狀態(tài)正常的情況下，從加速管出來的高能束是發(fā)散的，離子束流密度不均勻，需要對束進(jìn)行聚焦合軸處理，為隨后的掃描提供細(xì)小的優(yōu)質(zhì)束斑，掃描面內(nèi)的束流信號才能對稱一致，注入才能均勻化。此外，離子源進(jìn)氣量 (BF3或 PH3)應(yīng)該穩(wěn)定控制，使源內(nèi)動態(tài)真空度符合正常工作時的要求，源磁場電流應(yīng)仔細(xì)調(diào)節(jié)，以保證源氣達(dá)最佳電離狀態(tài)；冷卻系統(tǒng)必須暢通無阻，讓高溫部分充分冷卻。特別是引出孔徑的變大，讓啟弧放電變得相當(dāng)困難，增加源氣流量又會縮短離子源的壽命。 ? 壓力補(bǔ)償 K因子 ? K因子間接影響著注入結(jié)果 ,通常表現(xiàn)為 Rs達(dá)不到要求的結(jié)果 . ? K值存在的話注入后的 Rs要比未設(shè)置 K值的要大 . ? 另外我們應(yīng)該特別關(guān)注離子源這一部分的真空，如果真空度低會造成束流在吸極頻繁打火 ,具體表現(xiàn)為束流不穩(wěn)定 ,波形時有時無 ,而且有可能在波峰產(chǎn)生“塵峰”，這樣會直接影響束流的品質(zhì)。 ? 另外，派生離子存在有各種荷質(zhì)比，對于這樣的離子束在隨后的聚焦掃描波形上會產(chǎn)生許多塵峰信號，嚴(yán)重時會使聚焦變得困難，這將直接影響注入時的均勻性。 ? 如果真空度過低，就不會引出大束流，直接影響注入的速度 。離子注入各參數(shù)對注入結(jié)果的影響 ? 半導(dǎo)體離子注入是半導(dǎo)體芯片 IC生產(chǎn)過程中的重要的一個環(huán)節(jié)，它的各個參數(shù)的調(diào)整直接影響產(chǎn)品質(zhì)量和成品率的高低。 ? ? ? ? ? ? ? 注入機(jī)系統(tǒng)真空度 的高低對束流品質(zhì)的影響相當(dāng)關(guān)鍵。如果真空度偏低，系統(tǒng)內(nèi)剩余氣體含量偏高，離子束與這些
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