離子注入培訓(xùn)資料ppt課件(存儲版)
【正文】 上述幾種主要控制手段之間互相協(xié)調(diào)配合，經(jīng)過多次均勻性試驗(yàn)，證明該工藝控制方法對于保證注入均勻性是行之有效的，特別對中低劑量注入，它能使注入均勻性得到較大程度的改善，其結(jié)果優(yōu)于 1%，注入質(zhì)量基本能滿足器件設(shè)計(jì)人員的要求。 ? 在注入組中，我們求解出束流大小大致為： ? 12102 ??? DI? 退火技術(shù) ? 目的：消除注入損傷，并使注入的雜質(zhì)原子進(jìn)入替位位置而實(shí)現(xiàn)電激活。如果掃描圖形比起標(biāo)準(zhǔn)波形有所偏離，則應(yīng)反復(fù)調(diào)節(jié)聚焦旋鈕和掃描幅度，一致化以后方可注入。因此，應(yīng)仔細(xì)調(diào)節(jié)各聚焦旋鈕，讓中心法拉第測得的束流強(qiáng)度(Ic)最大，使它與主法拉第測得的束流強(qiáng)度 (Im)之比 (Ic/Im)大于 3，這是聚焦是否成功的判據(jù)。 ? 由于離子源外罩要經(jīng)受 25 kV高壓，表面不應(yīng)有尖銳點(diǎn)和凸出部分，以防止尖端放電，否則引出束流會呈現(xiàn)非穩(wěn)定性。低能電子單位時間的產(chǎn)生額滿足如下關(guān)系式： 760)(?P Z LqIdtdNeB?? 式中， P為真空度， σ為碰撞有效截面， Z為離子束傳輸距離， L為 Loschmit常數(shù)， IB為束流值， q為離子的電荷量。因此，應(yīng)協(xié)調(diào)控制一些相關(guān)因素，盡量減小離子束的不穩(wěn)定度來提高注入的均勻性 。真空度底，示波器的聚焦就不會很好，同時注入的純度也達(dá)不到要求；同時真空度對注入均勻性也會有一定的影響，因?yàn)殡x子束在加速的路徑上會遇到一些雜散的氣體分子的阻擋，導(dǎo)致注入深度不夠，而相反的，未經(jīng)阻擋的離子注入的深度比較深，兩部分的離子不在硅片的同一層面上，注入的均勻性就比較差。 ? 襯底表面潔凈度對束能的間接影響 ? 如果由于其他工序或者環(huán)境的原因，襯底表面有塵埃和固體顆粒物，它會成為離子束的
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