集成電路光刻工藝ppt課件-文庫吧資料
2025-05-13 07:17本頁面
【正文】 備復雜 26 四、 X射線曝光（ 4～ 20埃） 基本要求： 一 、 材料的形變小 ， 這樣制成的圖形尺寸及其相對位置的變化可以忽略 。 ?掩膜版的尺寸可以比實際尺寸大得多，克服了小圖形制版的困難。 另外 ， 與接觸式曝光相比 ， 接近式曝光的操作比較復雜 。 22 一、接觸式曝光 ?由于掩膜版與硅片相接觸磨損，是掩膜版的壽命降低。 正膠：曝光前不可溶 ， 曝光后 可溶 負膠：曝光前 可溶 ， 曝光后不可溶 15 二、光刻膠的感光機理 聚乙烯醇肉桂酸酯 KPR膠的光交聯(lián) (聚合 ) 16 生交聯(lián) 常用負膠有聚肉桂酸酯類、聚酯類和聚烴類 , 由光產生分解 膠 襯底 膠 襯底 膠 襯底 掩膜 曝光 膠 襯底 顯影 負膠 正膠 17 聚乙烯醇肉桂酸酯 KPR 常用負膠有聚肉桂酸酯類、聚酯類和聚烴類 18 DNQ酚醛樹脂光刻膠的化學反應 (光活潑化合物 ) O=S=O OR O=S=O OR N2 o o (1) (2) h? N2 重新排列 O=S=O OR O=S=O OR c o OH c o (4) (3) +H2O 19 （ 1） 感光度 （ 2） 分辨率 （ 3） 抗蝕性 （ 4） 粘附性
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