【摘要】19-6MOS工藝我們主要要了解各次光刻版的作用,為學(xué)習(xí)版圖設(shè)計打下基礎(chǔ)。(1)外延生長?外延生長為在單晶襯底(基片)上生長一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單品層的方法。生長外延層有多種方法,但采用最多的是氣相外延工藝,常使用高頻感應(yīng)爐加熱,襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體
2025-05-04 22:22
【摘要】555定時器及其應(yīng)用555定時器用555定時器組成施密特觸發(fā)器用555定時器組成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器用555定時器組成多諧振蕩器555定時器是一種應(yīng)用方便的中規(guī)模集成電路,廣泛用于信號的產(chǎn)生、變換、控制與檢測。555定時器及其應(yīng)用電阻分壓器電壓比較器基本SR鎖存器輸出緩沖反相器
2025-05-11 18:18
【摘要】北京大學(xué)微電子學(xué)研究所半導(dǎo)體及其基本特性北京大學(xué)北京大學(xué)微電子學(xué)研究所固體材料:超導(dǎo)體:大于106(?cm)-1導(dǎo)體:106~104(?cm)-1半導(dǎo)體:104~10-10(?cm)-1絕緣體
2025-01-21 16:27
【摘要】集成電路設(shè)計基礎(chǔ)第七章集成電路版圖設(shè)計華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院廣州集成電路設(shè)計中心殷瑞祥教授版圖設(shè)計概述?版圖(Layout)是集成電路設(shè)計者將設(shè)計并模擬優(yōu)化后的電路轉(zhuǎn)化成的一系列幾何圖形,包含了集成電路尺寸大小、各層拓?fù)涠x等有關(guān)器件的所有物理信息。?集成電路制造廠家根據(jù)版圖來制造掩膜。版圖的設(shè)
2025-05-10 18:03
【摘要】第七章中規(guī)模通用集成電路及其應(yīng)用常用中規(guī)模組合邏輯電路常用中規(guī)模時序邏輯電路常用中規(guī)模信號產(chǎn)生與變形電路第七章中規(guī)模通用集成電路及其應(yīng)用?集成電路由SSI發(fā)展到MSI、LSI、VLSI,單塊芯片功能不斷增強(qiáng)。?SSI集成基本器件(邏輯門、觸發(fā)器);?MSI集成邏輯部件(譯碼器、寄存器);
2025-01-20 05:35
【摘要】集成電路工藝原理第三講光刻原理11集成電路工藝原理仇志軍(username&password:vlsi)邯鄲路校區(qū)物理樓435室助教:沈臻魁楊榮邯鄲路校區(qū)計算中心B204集成電路工藝原理第三講光刻原理12凈
2025-01-21 16:29
【摘要】1第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝2第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件電路形式電路規(guī)模Si-BipolarD,BJT,
2025-05-05 04:50
【摘要】第四章集成電路制造工藝?集成電路設(shè)計與制造的主要流程框架設(shè)計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計過程:設(shè)計創(chuàng)意+仿真驗證集成電路芯片設(shè)計過程框架From吉利久教授
2025-05-13 07:17
【摘要】第四章第四章集成電路設(shè)計第四章集成電路是由元、器件組成。元、器件分為兩大類:無源元件電阻、電容、電感、互連線、傳輸線等有源器件各類晶體管集成電路中的無源源件占的面積一般都比有源器件大。所以設(shè)計時盡可能少用無源元件,尤其是電容
【摘要】?掌握集成電路、半導(dǎo)體集成電路的基本概念,掌握集成度的概念,能夠正確區(qū)分SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI等不同集成度的集成電路。?掌握數(shù)字集成電路與模擬集成電路的概念,了解兩者的聯(lián)系與區(qū)別。?了解集成電路的分類方法。?了解目前半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展趨勢。?熟悉典型雙極型半導(dǎo)體集成電路的工藝流程,了解其工藝特點。?了解集成電路
2025-05-12 12:49
【摘要】第六章雙極型模擬集成電路集成化元、器件及其特點集成差分放大電路電流模電路功率輸出級電路集成運(yùn)算放大器第二節(jié)第一節(jié)第五節(jié)第四節(jié)第三節(jié)第一節(jié)集成化元、器件及其特點一集成電路工藝簡介以制造NPN管的工藝流程為例氧化光刻
2025-05-07 02:37
【摘要】123456789101112131415161718192021222324252627
2024-08-18 16:51
【摘要】1第六章光刻工藝§1基本概念2一、光刻的定義:光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。二、光刻的目的:光刻的目的就是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形,從而實現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的。3三、工藝流程:以負(fù)膠為例來說明這八個步驟,一般可分為
【摘要】集成電路設(shè)計基礎(chǔ)第三章集成電路制造工藝華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院廣州集成電路設(shè)計中心殷瑞祥教授第3章IC制造工藝外延生長掩膜制作光刻原理與流程氧化淀積與刻蝕摻雜原理與工藝2關(guān)心每一步工藝對器件性
【摘要】電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-121第1章集成電路設(shè)計導(dǎo)論1、微電子(集成電路)技術(shù)概述2、集成電路設(shè)計步驟及方法電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-122?“自底向上”(Bottom-up)“自底向上”的設(shè)計路線,即自工藝開始,先進(jìn)行單元設(shè)計,在精心設(shè)計
2025-05-05 03:20