【摘要】?2022/8/20東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所集成電路設(shè)計基礎(chǔ)王志功東南大學(xué)無線電系2022年東?南?大?學(xué)射?頻?與?光?電?集?成?電?路?研?究?所?2022/8/202第六章M
2024-08-10 14:45
【摘要】集成電路工藝原理第七章金屬互聯(lián)本章概要?引言?金屬鋁?金屬銅?阻擋層金屬?硅化物?金屬淀積系統(tǒng)引言概述金屬化是芯片制造過程中在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜,通過光刻形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過程。金屬線被夾在兩個絕緣介質(zhì)層中間形成電整體。高性
2025-04-30 18:17
【摘要】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院芯片互連技術(shù)前課回顧?引線鍵合技術(shù)(WB)主要內(nèi)容?載帶自動鍵合技術(shù)(TAB)?倒裝芯片鍵合技術(shù)(FCB)引線鍵合技術(shù)概述引線鍵合技術(shù)是將半導(dǎo)體裸芯片(Die)焊區(qū)與微電子封裝的I/O引線或基板上的金屬布線焊區(qū)(Pad)用金屬細絲連接起來的工藝
2025-03-20 06:10
【摘要】2022/4/141《集成電路設(shè)計概述》2022/4/142目的?認識集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來?了解集成電路設(shè)計工藝?熟悉集成電路設(shè)計工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計興趣2022/4/143主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的
2025-04-13 22:59
【摘要】第七章集成電路版圖設(shè)計版圖設(shè)計概述?版圖(Layout)是集成電路設(shè)計者將設(shè)計并模擬優(yōu)化后的電路轉(zhuǎn)化成的一系列幾何圖形,包含了集成電路尺寸大小、各層拓撲定義等有關(guān)器件的所有物理信息。?集成電路制造廠家根據(jù)版圖來制造掩膜。版圖的設(shè)計有特定的規(guī)則,這些規(guī)則是集成電路制造廠家根據(jù)自己的工藝特點而制定的。不同的工藝,有不同的設(shè)計規(guī)則。
2025-01-07 01:54
【摘要】CMOS集成電路設(shè)計基礎(chǔ)-數(shù)字集成電路基礎(chǔ)對邏輯門的基本要求1)魯棒性(用靜態(tài)或穩(wěn)態(tài)行為來表示)靜態(tài)特性常常用電壓傳輸特性(VTC)來表示即輸出與輸入的關(guān)系),傳輸特性上具有一些重要的特征點。邏輯門的功能會因制造過程的差異而偏離設(shè)計的期望值。(2)噪聲容限:芯片內(nèi)外的噪聲會使電路的響應(yīng)偏離設(shè)計的期望值(電感、電容耦合,電源
2025-07-15 18:10
【摘要】集成電路封裝技術(shù)及其應(yīng)用-----------------------作者:-----------------------日期:多芯片封裝技術(shù)及其應(yīng)用1引言數(shù)十年來,集成電路封裝技術(shù)一直追隨芯片的發(fā)展而進展,封裝密度不斷提高,從單芯片封裝向多芯片封裝拓展,市場化對接芯片與應(yīng)用需求,兼容芯片的數(shù)量集成和功能集成,為封裝領(lǐng)域提供出又一種
2025-07-14 15:04
【摘要】2022/2/61《集成電路設(shè)計概述》2022/2/62目的?認識集成電路的發(fā)展歷史、現(xiàn)狀和未來?了解集成電路設(shè)計工藝?熟悉集成電路設(shè)計工具?培養(yǎng)集成電路設(shè)計興趣2022/2/63主要內(nèi)容集成電路的發(fā)展集成電路的分類
2025-01-09 14:11
【摘要】桂林電子科技大學(xué)職業(yè)技術(shù)學(xué)院集成電路芯片封裝技術(shù)1、集成電路芯片封裝與微電子封裝課程引入與主要內(nèi)容2、芯片封裝技術(shù)涉及領(lǐng)域及功能3、封裝技術(shù)層次與分類微電子封裝技術(shù)=集成電路芯片封裝技術(shù)封裝技術(shù)的概念微電子封裝:ABridgefromICtoSystemBoardIC微電子封裝的概念狹義:芯
2025-02-21 13:48
2025-01-09 01:07
【摘要】主要內(nèi)容:?微波無源元器件?微波有源元器件?微波集成電路簡介第九章微波元器件與集成電路微波元器件無源元器件有源元器件基本電抗元件終端元件連接元件分支元件(功率分配元件)衰減器和移相器定向耦合器濾波器諧振器隔離器……
2025-04-29 13:26
【摘要】復(fù)習(xí)1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttO
2025-04-30 13:59
【摘要】第四章集成電路制造工藝CMOS集成電路制造工藝?形成N阱?初始氧化?淀積氮化硅層?光刻1版,定義出N阱?反應(yīng)離子刻蝕氮化硅層?N阱離子注入,注磷?形成P阱?在N阱區(qū)生長厚氧化層,其它區(qū)域被氮化硅層保護而不會被氧化?去掉光刻膠及氮化硅層?P阱離子注入,
【摘要】Module3模擬集成電路版圖基礎(chǔ)Lab3-1CMOS無源器件結(jié)構(gòu)與版圖?知識單元:?1、電阻?2、電容?3、電阻和電容畫法實例一、電阻:1、方塊電阻?方塊電阻測量方法:–用poly來做一個電阻,先做一個正方形,長,寬相等。通過在其兩端加電壓,測量電流的方法,可以得到它的阻值。?電阻連接
2025-05-13 00:45
【摘要】第二章電力電子變頻器及PWM控制原理山東大學(xué)三相SPWM專用集成電路?SPWM專用集成電路芯片用一片集成電路加上少量的外圍器件生成SPWM波形,大大簡化了電路和設(shè)計成本。?SA4828?SM2021一、SA4828及其應(yīng)用SA4828是一種新型三相SPWM芯片。SA
2025-05-10 21:39