雙極型集成電路ppt課件-文庫吧資料
2025-01-20 10:46本頁面
【正文】 絕緣材料，它的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，室溫下它只與氫氟酸發(fā)生化學(xué)反應(yīng) 31 氧化硅層的主要作用 ? 在 MOS電路中作為 MOS器件的絕緣柵介質(zhì)，器件的組成部分 ? 擴(kuò)散時(shí)的掩蔽層，離子注入的 (有時(shí)與光刻膠、 Si3N4層一起使用 )阻擋層 ? 作為集成電路的隔離介質(zhì)材料 ? 作為電容器的絕緣介質(zhì)材料 ? 作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料 ? 作為對器件和電路進(jìn)行鈍化的鈍化層材料 32 SiO2的制備方法 ? 熱氧化法 –干氧氧化 –水蒸汽氧化 –濕氧氧化 –干氧－濕氧－干氧 (簡稱干濕干 )氧化法 –氫氧合成氧化 ? 化學(xué)氣相淀積法 ? 熱分解淀積法 ? 濺射法 33 進(jìn)行干氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖 34 35 化學(xué)氣相淀積 (CVD) ? 化學(xué)氣相淀積 (Chemical Vapor Deposition)：通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積一層薄膜材料的過程 ? CVD技術(shù)特點(diǎn)： – 具有淀積溫度低、不消耗襯底材料、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復(fù)性好、臺(tái)階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡單等一系列優(yōu)點(diǎn) – CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的 SiO多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬 (鎢、鉬 )等 36 化學(xué)氣相淀積 (CVD) ? 常壓化學(xué)氣相淀積 (APCVD) ? 低壓化學(xué)氣相淀積 (LPCVD) ? 等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD) 37 APCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 38 LPCVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 39 平行板型 PECVD反應(yīng)器的結(jié)構(gòu)示意圖 40 化學(xué)氣相淀積 (CVD) ? 單晶硅的化學(xué)氣相淀積 (外延 )：一般地，將在單晶襯底上生長單晶材料的工藝叫做外延，生長有外延層的晶體片叫做外延片 ? 二氧化硅的化學(xué)氣相淀積：可以作為金屬化時(shí)的介質(zhì)層，而且還可以作為離子注入或擴(kuò)散的掩蔽膜，甚至還可以將摻磷、硼或砷的氧化物用作擴(kuò)散源 – 低溫 CVD氧化層：低于 500℃ – 中等溫度淀積： 500～ 800℃ – 高溫淀積： 900℃ 左右 41 化學(xué)氣相淀積 (CVD) ? 多晶硅的化學(xué)氣相淀積：利用多晶硅替代金屬鋁作為 MO
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