集成電路原理制造工藝及原理技術(shù)--期末論文(存儲(chǔ)版)
【正文】 硅單晶片的拋光 1 拋光目的： 晶圓表面光滑，像鏡面一樣亮。 在放肩時(shí)可判別晶體是否是單晶 ，否則要將其熔掉重新引晶。 C) SiO2 + C ? Si + CO2 砂 碳 冶金級(jí)矽 二氧化碳 19 制備 TCS（ 三 氯硅烷 ） Si + HCl ? TCS 矽粉末 氯化氫 過(guò)濾器 冷凝器 純化器 %純度的三氯矽烷 反應(yīng)器 , 300 ?C 20 加熱 (1100 176。 ? 冶金級(jí)硅（ MG） ：是硅的氧化物在電弧爐中被碳還原而成。 光敏電阻 就是基于這種效應(yīng)的光電器件。? ? ? ? ? 5. 集成電路的發(fā)展對(duì)硅片的要求 1 半導(dǎo)體材料 ? 目前用于制造半導(dǎo)體器件的材料有： 元素半導(dǎo)體（ Si Ge） 化合物半導(dǎo)體（ GaAs ） ? 本征半導(dǎo)體： 不 含 任 何 雜 質(zhì) 的 純 凈 半 導(dǎo) 體 ， 其純度在%（ 8~10個(gè) 9） 。載流子：電子，空穴 N型半導(dǎo)體 （主要載流子為電子 [+]，電子半導(dǎo)體） P型半導(dǎo)體 （主要載流子為空穴 []，空穴半導(dǎo)體） 5 N型半導(dǎo)體 多余電子 磷原子 硅原子 + N型硅表示 Si P Si Si 6 空穴 P型半導(dǎo)體 硼原子 P型硅表示 Si Si Si B 硅原子 空穴被認(rèn)為帶一個(gè)單位的正電荷，并且可以移動(dòng) 7 Si： T=300K ρ=2 x 10 5 Ωcm T=320K ρ=2 x 10 4Ωcm 絕緣體 半導(dǎo)體 導(dǎo)體 1012— 1022 106— 1012 ≤ ⒈ 電阻率 ρ:電阻率可在很大范圍內(nèi)變化 、 半導(dǎo)體的主要特征 2x105 Ωcm Ωcm 2x105 B 105 P 105 硅 8 在光線(xiàn)作用下，對(duì)于半導(dǎo)體材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大于或等于半導(dǎo)體材料的禁帶寬度， 就激發(fā)出電子 空穴對(duì)，使載流子濃度增加，半導(dǎo)體的 導(dǎo)電性增加，阻值減低， 這種現(xiàn)象稱(chēng)為 光電導(dǎo)效應(yīng) 。 14 備 ? 制備原材料－－ 多晶硅（ polysilicon） ? 多晶硅 按純度分類(lèi)可以分為冶金級(jí)（工業(yè)硅）、太陽(yáng)能級(jí)、電子級(jí)。 15 ? 多晶硅的制備 ? 單晶硅制備 ? 單晶硅性能測(cè)試 ? 單晶硅加工，形
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