集成電路原理制造工藝及原理技術(shù)--期末論文(更新版)
【正文】 ?100的晶圓較常用來作 金屬氧化物半導(dǎo)體 集成電路 ?111方向 的晶圓則通常用來制造雙極型晶體管和集成電路 ，因為111方向的原子表面密度高，故該面較為堅固且比較適合高功率的元件。 其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。 ? 摻雜半導(dǎo)體： 半導(dǎo)體材料對雜質(zhì)的敏感性非常強 ， 例如在 Si中摻入千萬分之一的磷 ( P )或者硼 （ B） ， 就會使電阻率降低 20萬倍 。 9 1839年，法國科學(xué)家貝克雷爾 (Becqurel)就發(fā)現(xiàn)，光照能使半導(dǎo)體材料的不同部位之間產(chǎn)生電位差。一般含 Si 高達(dá) % 以上。 C) SiHCl 3 + H 2 ? Si + 3HCl 三氯矽烷 氫氣 電子級矽材料 氯化氫 電子級硅 材料 21 反應(yīng)室 液態(tài)三氯矽烷 H2 載送氣體的氣泡 氫和三氯矽烷 製程反應(yīng)室 TCS+H2?EGS+HCl 電子級矽材料 22 電子級硅 材料 23 ： 晶體主流生長技術(shù) 1）設(shè)備： 石英坩堝、高頻加熱線圈等 2）材料： 半導(dǎo)體多晶材料和摻雜物、籽晶 3）條件： （ 1）結(jié)晶溫度（ 2）結(jié)晶中心 單晶硅的制備 直拉法生長硅單晶 24 25 直拉法 :切 克洛斯基 (CZ)法 石墨坩堝 單晶矽矽棒 單晶矽種晶 石英坩堝 加熱線圈 1415 176。單晶體外形上的特征 —棱的出現(xiàn) 可幫助我們判別，111方向應(yīng)有對稱三條棱， 100方向有對稱的四條棱。 2 拋光的過程： 化學(xué)和機械 兩種過程同時進行。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時 41分 28秒 02:41: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 02:41:2802:41:2802:41Tuesday, January 24, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 02:41:2802:41:2802:411/24/2023 2:41:28 AM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 上午 2時 41分 28秒 上午 2時 41分 02:41: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴
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