集成電路原理制造工藝及原理技術(shù)--期末論文-wenkub
2023-01-27 12:24:48 本頁面
【正文】 熔法 四氯化硅還原法 （從砂到硅） 18 四氯化硅還原法 （從砂到硅） 加熱 (2023 176。一般認(rèn)為含 Si在 %– %（ 4～ 6個 9）。 14 備 ? 制備原材料－－ 多晶硅（ polysilicon） ? 多晶硅 按純度分類可以分為冶金級（工業(yè)硅）、太陽能級、電子級。 伏特效應(yīng) 10 物質(zhì)分為 晶體 (單晶，多晶 )和非晶體 單晶體 :由原子或分子在空間按一定規(guī)律周期性地重復(fù)排列構(gòu)成的固體物質(zhì)。載流子：電子，空穴 N型半導(dǎo)體 （主要載流子為電子 [+]，電子半導(dǎo)體） P型半導(dǎo)體 （主要載流子為空穴 []，空穴半導(dǎo)體） 5 N型半導(dǎo)體 多余電子 磷原子 硅原子 + N型硅表示 Si P Si Si 6 空穴 P型半導(dǎo)體 硼原子 P型硅表示 Si Si Si B 硅原子 空穴被認(rèn)為帶一個單位的正電荷，并且可以移動 7 Si： T=300K ρ=2 x 10 5 Ωcm T=320K ρ=2 x 10 4Ωcm 絕緣體 半導(dǎo)體 導(dǎo)體 1012— 1022 106— 1012 ≤ ⒈ 電阻率 ρ:電阻率可在很大范圍內(nèi)變化 、 半導(dǎo)體的主要特征 2x105 Ωcm Ωcm 2x105 B 105 P 105 硅 8 在光線作用下，對于半導(dǎo)體材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大于或等于半導(dǎo)體材料的禁帶寬度， 就激發(fā)出電子 空穴對，使載流子濃度增加，半導(dǎo)體的 導(dǎo)電性增加，阻值減低， 這種現(xiàn)象稱為 光電導(dǎo)效應(yīng) 。 形成共價鍵后，每個原子的最外層電子是八個，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。? ? ? ? ? 5. 集成電路的發(fā)展對硅片的要求 1 半導(dǎo)體材料 ? 目前用于制造半導(dǎo)體器件的材料有： 元素半導(dǎo)體（ Si Ge） 化合物半導(dǎo)體（ GaAs ） ? 本征半導(dǎo)體： 不 含 任 何 雜 質(zhì) 的 純 凈 半 導(dǎo) 體 ， 其純度在%（ 8~10個 9） 。 共價鍵有很強的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。 光敏電阻 就是基于這種效應(yīng)的光電器件。 （ 1）一種物質(zhì)是否是晶體是由其內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的，而非由外觀判斷； （ 2）周期性是晶體結(jié)構(gòu)最基本的特征 多晶體： 小區(qū)域內(nèi)原子周期性排列，整體不規(guī)則 非晶體： 原子排列無序 11 晶體的特點 1）均勻性 ,原子周期性排列 . 2） 各向異性 ,也叫非均質(zhì)性 .(各個方向上物理和化學(xué)性質(zhì)不同 ) 3）有明顯確
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