【正文】 02:41: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 2023年 1月 上午 2時(shí) 41分 :41January 24, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 02:41:2802:41:2802:411/24/2023 2:41:28 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 4 切片 硅單晶的加工： 切割 研磨 拋光 30 31 二 硅單晶的研磨 1 目的： 去除切片中殘留的表面損傷，晶圓表面完全平整； 2 磨片： 研磨晶圓，精調(diào)到半導(dǎo)體使用的要求。 15 ? 多晶硅的制備 ? 單晶硅制備 ? 單晶硅性能測(cè)試 ? 單晶硅加工，形成晶圓 16 多晶硅的制備方法 ? 四氯化硅還原法 ? 三氯氫硅氫還原法 ? 硅烷熱分解法 17 ? 石英砂的主要成份是二氧化 硅 ? 從沙到冶金級(jí)硅 (MGSmetallurgical grade(MG) silicon純度 98％～ 99％ ) ? MGS 粉末放 進(jìn)反應(yīng)爐 和 氯化氫反應(yīng) 生 三 氯硅烷(TCS) ? 經(jīng)由氣化和凝結(jié)過程純化三氯硅烷 ? 三氯硅烷和氫氣反應(yīng)生成 電子級(jí)硅材料 (EGS) ? EGS熔化和晶 體 提拉 制備單晶硅 直拉法 懸浮區(qū)熔法 四氯化硅還原法 （從砂到硅） 18 四氯化硅還原法 （從砂到硅） 加熱 (2023 176。載流子：電子，空穴 N型半導(dǎo)體 （主要載流子為電子 [+]，電子半導(dǎo)體） P型半導(dǎo)體 （主要載流子為空穴 []，空穴半導(dǎo)體） 5 N型半導(dǎo)體 多余電子 磷原子 硅原子 + N型硅表示 Si P Si Si 6 空穴 P型半導(dǎo)體 硼原子 P型硅表示 Si Si Si B 硅原子 空穴被認(rèn)為帶一個(gè)單位的正電荷，并且可以移動(dòng) 7 Si： T=300K ρ=2 x 10 5 Ωcm T=320K ρ=2 x 10 4Ωcm 絕緣體 半導(dǎo)體 導(dǎo)體 1012— 1022 106— 1012 ≤ ⒈ 電阻率 ρ:電阻率可在很大范圍內(nèi)變化 、 半導(dǎo)體的主要特征 2x105 Ωcm Ωcm 2x105 B 105 P 105 硅 8 在光線作用下，對(duì)于半導(dǎo)體材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大于或等于半導(dǎo)體材料的禁帶寬度， 就激發(fā)出電子 空穴對(duì)，使載流子濃度增加，半導(dǎo)體的 導(dǎo)電性增加，阻值減低， 這種現(xiàn)象稱為 光電導(dǎo)效應(yīng) 。 光敏電阻 就是基于這種效應(yīng)的光電器件。 C) SiO2 + C