【文章內(nèi)容簡介】 等多種工藝流程。97． 光刻區(qū)位于硅片廠的中心，經(jīng)過光刻處理的硅片只流入兩個區(qū)，因此只有三個區(qū)會處理涂膠的硅片，它們是（ ）、（ ）和（ ）。98． 制作通孔1的主要工藝步驟是：（ 第一層層間介質(zhì)氧化物淀積 ）；（ 氧化物磨拋 ）；（ 第十層掩模、第一層層間介質(zhì)刻蝕 ）。99． 制作鎢塞1的主要工藝步驟是：（ 鈦淀積阻擋層 ）；（ 氮化鈦淀積 ）；（ 鎢淀積 ）；磨拋鎢。二、判斷題（10分=1分*10）10題/章晶圓制備1． %。（ √）2． 冶金級硅的純度為98%。（ √ ）3． 西門子工藝生產(chǎn)的硅沒有按照希望的晶體順序排列原子。（ √ ）4． 對半導體制造來講，硅片中用得最廣的晶體平面是（100）、（110）和（111）。（ √ ）5． CZ直拉法是按照在20世紀90年代初期它的發(fā)明者的名字來命名的。（ √ ）6． 用來制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，這是因為（100）面的表面狀態(tài)更有利于控制MOS器件開態(tài)和關(guān)態(tài)所要求的閾值電壓。（√ ）7． （111）面的原子密度更大，所以更易生長，成本最低，所以經(jīng)常用于雙極器件。（√ ）8． 區(qū)熔法是20世紀50年代發(fā)展起來的，能生產(chǎn)到目前為止最純的硅單晶，含氧量非常少。（ √ ）9． 85%以上的單晶硅是采用CZ直拉法生長出來的。（ √ ）10． 成品率是指在一片晶圓上所有芯片中好芯片所占的百分比。（ √）氧化11． 當硅片暴露在空氣中時，會立刻生成一層無定形的氧化硅薄膜。（ √）12． 暴露在高溫的氧氣氛圍中，硅片上能生長出氧化硅。生長一詞表示這個過程實際是消耗了硅片上的硅材料。（ √ ）13． 二氧化硅是一種介質(zhì)材料，不導電。（ √ ）14． 硅上的自然氧化層并不是一種必需的氧化材料，在隨后的工藝中要清洗 去除。（ √）15． 柵氧一般通過熱生長獲得。（ √ ）16． 雖然直至今日我們?nèi)云毡椴捎脭U散區(qū)一詞，但是硅片制造中已不再用雜質(zhì)擴散來制作pn結(jié)，取而代之的是離子注入。（√）17． 氧化物有兩個生長階段來描述，分別是線性階段和拋物線階段。（√ ）18． 。（ √）19． 。（√ ）20． 快速熱處理是一種小型的快速加熱系統(tǒng)，帶有輻射熱和冷卻源，通常一次處理一片硅片。（ √ ）淀積21． CVD是利用某種物理過程，例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜。（ ）22． 高阻襯底材料上生長低阻外延層的工藝稱為正向外延。（ ）23． LPCVD反應(yīng)是受氣體質(zhì)量傳輸速度限制的。（ √）24． 外延就是在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層，即外延層。（√ ）25． 在半導體產(chǎn)業(yè)界第一種類型的CVD是APCVD。（ √ ）26． 外延就是在單晶襯底上淀積一層薄的單晶層，分為同質(zhì)外延和異質(zhì)外延兩大類。（ √ ）27． CVD反應(yīng)器的冷壁反應(yīng)器只加熱硅片和硅片支持物。（ √ ）冷壁反應(yīng)器通常只對襯底加熱，28． APCVD反應(yīng)器中的硅片通常是平放在一個平面上。（ √ ）29． 與APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的產(chǎn)量以及更好的膜性能，因此應(yīng)用更為廣泛。 （ √ ）30． LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃，采用增強的等離子體，增加淀積能量，即低壓和低溫。（ ）金屬化31． 接觸是指硅芯片內(nèi)的器件與第一層金屬層之間在硅表面的連接。（ √ ）32． 大馬士革工藝來源于一種類似精制的鑲嵌首飾或藝術(shù)品的圖案。（ √ ） 33． 蒸發(fā)最大的缺點是不能產(chǎn)生均勻的臺階覆蓋，但是可以比較容易的調(diào)整淀積合金的組分。（ ）很難調(diào)整淀積合金的組分34． 大馬士革工藝的重點在于介質(zhì)的刻蝕而不是金屬的刻蝕。（√ ）35． 接觸是由導電材料如鋁、多晶硅或銅制成的連線將電信號傳輸?shù)叫酒牟煌糠?。? ）36． 多層金屬化指用來連接硅片上高密度堆積器件的那些金屬層。（ ）37． 阻擋層金屬是淀積金屬或金屬塞，其作用是增加上下層材料的附著。（ ）38． 關(guān)鍵層是指那些線條寬度被刻蝕為器件特征尺寸的金屬層。（√ ）39． 傳統(tǒng)互連金屬線的材料是鋁，即將取代它的金屬材料是銅。（ ）40． 濺射是個化學過程，而非物理過程。（ ）平坦化41． 表面起伏的硅片進行平坦化處理，主要采用將低處填平的方法。（ ）42． 化學機械平坦化，簡稱CMP，它是一種表面全局平坦化技術(shù)。（ √ ）43． 平滑是一種平坦化類型，它只能使臺階角度圓滑和側(cè)壁傾斜，但高度沒有顯著變化。（ √ ）44． 反刻是一種傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，它能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化。（ ）45． 電機電流終點檢測不適合用作層間介質(zhì)的化學機械平坦化。（√ ）46． 在CMP設(shè)備中被廣泛采用的終點檢測方法是光學干涉終點檢測。（ √）47． CMP帶來的一個顯著的質(zhì)量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。（ √）48． 20世紀90年代初期使用的第一臺CMP設(shè)備是用樣片估計拋光時間來進行終點檢測的。（ √ ）49． 旋涂膜層是一種傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)。（√ ）50． 沒有CMP，就不可能生產(chǎn)甚大規(guī)模集成電路芯片。（ ）光刻51． 最早應(yīng)用在半導體光刻工藝中的光刻膠是正性光刻膠。（ ）52． 步進光刻機的三個基本目標是對準聚焦、曝光和合格產(chǎn)量。（ ）53． 光刻區(qū)使用黃色熒光燈照明的原因是，光刻膠只對特定波長的光線敏感，例如深紫外線和白光，而對黃光不敏感。（ √）54． 曝光后烘焙，簡稱后烘，其對傳統(tǒng)I線光刻膠是必需的。（ √ ）55． 對正性光刻來說，剩余不可溶解的光刻膠是掩膜版圖案的準確復制。（√ ）56． 芯片上的物理尺寸特征被稱為關(guān)鍵尺寸，即CD。（ √）57． 光刻的本質(zhì)是把電路結(jié)構(gòu)復制到以后要進行刻蝕和離子注入的硅片上。（ √ ）58． 有光刻膠覆蓋硅片的三個生產(chǎn)區(qū)域分別為光刻區(qū)、刻蝕區(qū)和擴散區(qū)。（ √）59． 投影掩膜版上的圖形是由金屬鉭所形成的。（ ）鉻60． 光刻是集成電路制造工藝發(fā)展的驅(qū)動力。（ √）刻蝕61． 各向異性的刻蝕剖面是在所有方向上（橫向和垂直方向）以相同的刻蝕速率進行刻蝕。（ ）62． 干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最主要方法，濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下刻蝕器件，例如大于3微米。（√ ）63． 不正確的刻蝕將導致硅片報廢，給硅片制造公司帶來損失。（ √ ）64． 對于大馬士革工藝，重點是在于金屬的刻蝕而不是介質(zhì)的刻蝕。（ ）65． 刻蝕速率通常正比于刻蝕劑的濃度。（ √ ）66． 刻蝕的高選擇比意味著只刻除 想要刻去的那一層材料。（√ ）67． 在半導體生產(chǎn)中，濕法腐蝕是最主要的用來去除表面材料的刻蝕方法。（ ）68． 在刻蝕中用到大量的化學氣體，通常用氟刻蝕二氧化硅。（ √）69． 與干法刻蝕相比，濕法腐蝕的好處在于對下層材料具有高的選擇比，對器件不會帶來等離子體損傷，并且設(shè)備簡單。（ √ ）70． 。（ √）擴散 71． 在晶片制造中，有兩種方法可以向硅片中引入雜質(zhì)元素，即熱擴散和離子注入。（√ ）72． 晶體管的源漏區(qū)的摻雜采用自對準技術(shù)，一次摻雜成功。（√ ）73． 在硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴散需要三個步驟：預淀積、推進和激活。（ √）74． 純凈的半導體是一種有用的半導體。（ ） 75． CD越小，源漏結(jié)的摻雜區(qū)越深。（√ ）76． 摻雜的雜質(zhì)和沾污的雜質(zhì)是一樣的效果。（ ）77． 擴散率越大，雜質(zhì)在硅片中的移動速度就越大。（√ ）78． 擴散運動是各向同性的。（ ）水分子擴散的各向異性79． 硅中的雜質(zhì)只有一部分被真正激活，并提供用于導電的電子或空穴（大約3%~5%），大多數(shù)雜質(zhì)仍然處在間隙位置，沒有被電學激活。（√ ）80． 熱擴散中的橫向擴散通常是縱向結(jié)深的75%~85%。先進的MOS電路不希望發(fā)生橫向擴散，因為它會導致溝道長度的減小，影響器件的集成度和性能。（ √）離子注入81． 離子注入會將原子撞擊出晶格結(jié)構(gòu)而損傷硅片晶格，高溫退火過程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除，摻入的雜質(zhì)也能得到一定比例的電激活。（√ ）82． 離子注入中靜電掃描的主要缺點