【總結(jié)】集成電路工藝原理第三講光刻原理11集成電路工藝原理仇志軍(username&password:vlsi)邯鄲路校區(qū)物理樓435室助教:沈臻魁楊榮邯鄲路校區(qū)計算中心B204集成電路工藝原理第三講光刻原理12凈
2025-01-15 16:29
【總結(jié)】1第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝2第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件電路形式電路規(guī)模Si-BipolarD,BJT,
2025-04-29 04:50
【總結(jié)】集成電路工藝概述課程介紹普通高校專業(yè)學(xué)科目錄(1998版)?01哲學(xué)?02經(jīng)濟(jì)學(xué)?03法學(xué)?04教育學(xué)?05文學(xué)?06歷史學(xué)?07理學(xué)?08工學(xué)?09農(nóng)學(xué)?10醫(yī)學(xué)?11管理學(xué)?0806電氣信息類?080601電氣工程及其自動化?080
2025-01-06 18:36
【總結(jié)】集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)1集成電路工藝原理集成電路工藝原理第七章離子注入原理(上)2大綱第一章前言第二章晶體生長第三章實驗室凈化及硅片清洗第四章光刻第五章熱氧化第六章
2025-01-08 13:40
【總結(jié)】集成電路Contentsv集成電路的定義v集成電路的分類v集成電路的工藝微電子技術(shù)課程ppt微電子技術(shù)課程ppt集成電路定義v集成電路(integrated?circuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝,把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連
2025-01-08 12:24
【總結(jié)】1第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝2第四章集成電路器件工藝表3圖幾種IC工藝速度功耗區(qū)位圖4雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的V
2025-01-06 18:35
【總結(jié)】畢業(yè)設(shè)計(論文)專業(yè)班次姓名指導(dǎo)老師成都信息工程學(xué)院二零零九年六月成都信息工程學(xué)院光電學(xué)院畢業(yè)論文設(shè)計設(shè)計2集成電路封裝工藝
2024-11-01 13:42
【總結(jié)】國際微電子中心集成電路設(shè)計原理第一章集成電路制造工藝集成電路(IntegratedCircuit)制造工藝是集成電路實現(xiàn)的手段,也是集成電路設(shè)計的基礎(chǔ)。2/1/2023韓良1國際微電子中心集成電路設(shè)計原理?隨著集成電路發(fā)展的過程,其發(fā)展的總趨勢是革新工
2025-02-15 05:39
【總結(jié)】半導(dǎo)體半導(dǎo)體集成電路集成電路2.雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/1/28pn+n-epin+P-Sin+-BLCBESP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/1/28P-SiTepiCBEpn+n-epin+P-SiP+P+Sn+-BLTepiA
2025-01-06 18:37
【總結(jié)】1.高溫氧化工藝硅的熱氧化硅的熱氧化是指在高溫下,硅片表面同氧氣或水進(jìn)行反應(yīng),生成SiO2。硅的熱氧化有:干氧、濕氧、水汽氧化三種。如果氧化前已存在厚度為t0的氧化層,則(3-11)微分方程的解為:(tOX:是總的氧化層厚度)??????tBAttOXOX2
2025-01-06 18:43
【總結(jié)】半導(dǎo)體制造工藝流程半導(dǎo)體相關(guān)知識?本征材料:純硅9-10個9?N型硅:摻入V族元素磷P、砷As、銻Sb?P型硅:摻入III族元素—鎵Ga、硼B(yǎng)?PN結(jié):NP------+++++半導(dǎo)體元件制造過程可分為
2025-01-06 18:46
【總結(jié)】微電子學(xué)概論第三章大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)(FundamentalsofLargeScaleIntergratedCircuit)?導(dǎo)論?半導(dǎo)體集成電路概述?CMOS集成電路基礎(chǔ)?半導(dǎo)體存儲器集成電路參考書第三章大規(guī)模集成電路基礎(chǔ)
2025-07-20 05:00
【總結(jié)】第八章光刻與刻蝕工藝光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層,經(jīng)過光照、顯影,在光刻膠上留下掩模版的圖形。在集成電路制造中,利用光刻膠圖形作為保護(hù)膜,對選定區(qū)域進(jìn)行刻蝕,或進(jìn)行離子注入,形成器件和電路結(jié)構(gòu)。隨著集成電路的集成度不斷提高,器件的特征尺寸不斷減小,期望進(jìn)一步縮小光刻圖形的尺寸。
2025-01-08 14:36
【總結(jié)】集成電路設(shè)計基礎(chǔ)第三章集成電路制造工藝華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院廣州集成電路設(shè)計中心殷瑞祥教授第3章IC制造工藝外延生長掩膜制作光刻原理與流程氧化淀積與刻蝕摻雜原理與工藝2關(guān)心每一步工藝對器件性
2025-05-04 18:03
【總結(jié)】1第六章光刻工藝§1基本概念2一、光刻的定義:光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。二、光刻的目的:光刻的目的就是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形,從而實現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的。3三、工藝流程:以負(fù)膠為例來說明這八個步驟,一般可分為
2025-05-07 07:17