微電子技術(shù)應(yīng)用基礎(chǔ)第二章集成電路的制造工藝(存儲版)
【正文】 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 (a) 生長二氧化硅膜； (b) 淀積氮化硅膜； (c) 光刻場區(qū)氧化窗口； (d) 場區(qū)氧化； (e) 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH 。 2 超純水的制備方法有：離子交換法 、 電滲析法和反滲透法 。 ③ 隔離結(jié)面積大 ， 由于 PN結(jié)的電容效應(yīng) ， 會影響高頻放大器的頻率響應(yīng)和高速數(shù)字電路的速度 。 淀積工藝 在集成電路制造工藝中 ， 金屬電極膜的淀積方法常用的有真空蒸發(fā)法和濺射法 ， 這兩種方法都屬于物理汽相淀積技術(shù) 。 2 常用的光刻方法有接觸式光刻 、 接近式光刻和投影式光刻三種 . 圖 3 超細(xì)線條曝光技術(shù) ① 遠(yuǎn)紫外線曝光技術(shù) 。 ② 涂感光膠 。 (5)④ 聚焦和掃描器 。 多用等離子體化學(xué)汽相淀積 （ PECVD）方法 。 (2) ① 在 MOS集成電路中 ， 二氧化硅層用做 MOSFET的絕緣柵介質(zhì) ② 二氧化硅層可以用做摻雜時(shí)的掩蔽層 .可以作為注入離子的阻擋層 。 增大了工藝設(shè)計(jì)和器件制造的靈活性 。 ③ 利用外延技術(shù)可以根據(jù)需要方便地控制薄層單晶的電阻率 、 電導(dǎo)類型 、 厚度及雜質(zhì)分布等參數(shù) 。 ④ 二氧化硅的電容性能是用介電常數(shù)表征的 。 1 ① 低溫 ② 高溫 2 3 常用的方法是化學(xué)汽相淀積法 。 圖 3 圖 4 ② PN結(jié)結(jié)深 Xj 磨角法 Xj=dsin θ 圖 滾槽法 Xj=ab/2R 圖 (4) 在大規(guī)模集成電路制造工藝中應(yīng)減小或避免雜質(zhì)的橫向擴(kuò)散 圖 ? ?tWLtR???QqR S ?1?
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