mos集成電路的基本制造工藝(存儲(chǔ)版)
【正文】 為 常用工藝 。 ? （ 4）腐蝕 Si3N4， N阱注入并擴(kuò)散。 ? （ 12）接觸孔光刻，接觸孔腐蝕。 ? 而且原來(lái)呈半絕緣的多晶硅本身在大量注入后變成 低電阻率的導(dǎo)電體 。 ? （ 10） PMOS管光刻和注入磷，形成 P+版。 ? （ 2）光刻 P阱，形成阱版，在 P阱區(qū)腐蝕 Si3N4， ? P阱注入。 在這種情況下， N阱中和了 P型襯底 ， P溝道晶體管會(huì)受到過(guò)渡摻雜的影響。半導(dǎo)體集成電路 MOS集成電路的基本制造工藝 半導(dǎo)體集成電路 半導(dǎo)體集成電路 ? CMOS工藝技術(shù) 是當(dāng)代 VLSI工藝的 主流工藝技術(shù) ，它是在 PMOS與 NMOS工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的。因?yàn)?N溝道器件是在 P型襯底上制成的， 這種方法與標(biāo)準(zhǔn)的 N溝道MOS(NMOS)的工藝是兼容的。 半導(dǎo)體集成電路 雙阱 CMOS工藝主要步驟 ? 雙阱 CMOS工藝主要步驟 如下
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