mos集成電路的基本制造工藝-閱讀頁
2025-08-09 19:09本頁面
【正文】 擴散并生長 SiO2。 ? （ 5）有源區(qū)襯底氧化，生長 Si3N4，有源區(qū)光刻 ? 和腐蝕，形成有源區(qū)版。 半導(dǎo)體集成電路 雙阱 CMOS工藝主要步驟 ? （ 7）場區(qū)氧化，有源區(qū) Si3N4和 SiO2腐蝕，柵 ? 氧化，溝道摻雜（閾值電壓調(diào)節(jié)注入）。 ? （ 9） NMOS管光刻和注入硼，形成 N+版。 ? （ 11）硅片表面生長 SiO2薄膜。 ? （ 13）淀積鋁，反刻鋁，形成鋁連線。在電路尺寸縮小時，這種有力的方法用得越來越多。 半導(dǎo)體集成電路 自對準工藝 示意圖 半導(dǎo)體集成電路 自對準工藝 ? 上圖中可見形成了圖形的 多晶硅條 用作離子注入工序中的 掩模 ，用自己的“身體”擋住離子向柵極下結(jié)構(gòu)（氧化層和半導(dǎo)體）的注入，同時使離子對半導(dǎo)體的注入正好發(fā)生在它的 兩側(cè) ，從而實現(xiàn)了 自對準 。 ? 可見多晶硅的應(yīng)用實現(xiàn)“ 一箭三雕 ”之
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