mos集成電路的基本制造工藝-預(yù)覽頁
【正文】 雜質(zhì)濃度 的典型值要比 N型襯底中的高 5~10倍才能保證器件性能。其 特點 是將 NMOS器件與PMOS器件同時制作在同一硅襯底上。 P阱 CMOS芯片剖面示意圖 見下圖。 半導(dǎo)體集成電路 N阱 CMOS工藝 早期的 CMOS工藝的 N阱工藝和 P阱工藝兩者并存發(fā)展。 半導(dǎo)體集成電路 雙阱 CMOS工藝 ? 通常雙阱 CMOS工藝采用的原始材料是在 N+或 P+襯底上外延一層輕摻雜的外延層，然后用離子注入的方法同時制作 N阱和 P阱。 ? （ 3）去光刻膠， P阱擴(kuò)散并生長 SiO2。 半導(dǎo)體集成電路 雙阱 CMOS工藝主要步驟 ? （ 7）場區(qū)氧化，有源區(qū) Si3N4和 SiO2腐蝕，柵 ? 氧化，溝道摻雜（閾值電壓調(diào)節(jié)注入）。 ? （ 11）硅片表面生長 SiO2薄膜。在電路尺寸縮小時，這種有力的方法用得越來越多。 ? 可見多晶硅的應(yīng)用實現(xiàn)“ 一箭三雕 ”之
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