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mos集成電路的基本制造工藝-全文預覽

2025-08-15 19:09 上一頁面

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【正文】 ? ( 4)腐蝕 Si3N4, N阱注入并擴散。 半導體集成電路 雙阱 CMOS工藝 ? 使用雙阱工藝不但可以 提高器件密度 ,還可以有效的控制寄生晶體管的影響,抑制閂鎖現(xiàn)象。但由于 N阱 CMOS中NMOS管直接在 P型硅襯底上制作 ,有利于發(fā)揮 NMOS器件高速的特點,因此成為 常用工藝 。 GSDGDSN+N+P+P+P+N M O SP M O SN S U BP 阱N+半導體集成電路 N阱 CMOS工藝 N阱 CMOS正好和 P阱 CMOS工藝相反 ,它是在 P型襯底上形成 N阱。 ? CMOS工藝技術 一般可分為 三類 ,即 ? P阱 CMOS工藝 ? N阱 CMOS工藝 ? 雙阱 CMOS工藝 半導體集成電路 P阱 CMOS工藝 P阱
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