微電子技術(shù)新進(jìn)展(存儲(chǔ)版)
【正文】 太薄，就會(huì)造成漏電電流穿透在 45nm工藝中采用 High－ K＋金屬柵極晶體管使摩爾定律得到了延伸（可以到 35nm、 25nm工藝）隧穿效應(yīng)SiO2的性質(zhì)柵介質(zhì)層 Tox1納米量子隧穿模型高 K介質(zhì)?雜質(zhì)漲落器件溝道區(qū)中的雜質(zhì)數(shù)僅為百的量級(jí)統(tǒng)計(jì)規(guī)律新型柵結(jié)構(gòu)?電子輸運(yùn)的渡越時(shí)間～碰撞時(shí)間介觀物理的輸運(yùn)理論?溝道長度CMOS?Targets:Lower costLess power consumptionHigher performance DNA ICSingle electron transistor (SET)SpintronicsCarbon Nanotube (CNT)Molecular DevicesNANOELECTRONICInterfaceGlue GluePCI 面向不同系統(tǒng)的軟件和硬件的功能劃分理論（FunctionalIP模塊有三種：其中以硬核使用價(jià)值最高?！?整個(gè)市場都認(rèn)為這是半導(dǎo)體的未來。對(duì)遺傳學(xué)研究、疾病診斷、疾病治療和預(yù)防、轉(zhuǎn)基因工程等具有極其重要作用。? 采用微電子加工技術(shù)，在指甲蓋大小的硅片上制作含有多達(dá) 1020萬種 DNA基因片段的芯片。主要包括 IP模塊間的膠聯(lián)邏輯技術(shù)和 IP模塊綜合分析及其實(shí)現(xiàn)技術(shù)等。 ProcessorreplaceT的縮小，柵泄漏的縮小，柵泄漏電流呈指數(shù)性增長電流呈指數(shù)性增長超薄柵氧化層?xùn)叛趸瘜拥膭輭綠S D直接隧穿的泄漏電流柵氧化層厚度小于 SOI 特征尺寸： 10微米 （亞微米 ）→ 半微米 181?？删幊唐骷赡苋〈鷮Ｓ眉呻娐罚?ASIC）微電子技術(shù)與其它領(lǐng)域相結(jié)合將產(chǎn)生新產(chǎn)業(yè)和新學(xué)科二、微電子技術(shù)的主要發(fā)展方向 (2)增大晶圓尺寸EEI 集成電路制造工藝Single dieGoing up to 12” (300mm)Wafer大生產(chǎn)的硅片直徑已經(jīng)從 200mm轉(zhuǎn)入 300mm。數(shù)據(jù)傳輸率 (GbpsTelephoneEEI 微處理器的發(fā)展微處理器的發(fā)展EEI? 1979年年 3月月? 16 Bit? ? 5到到 8MHz?? 1985年年 10月月? 32 Bit? ? 16到到 32 MHz?1181。J.Ge晶體管W.486Pentium? 1993年年 3月月? 32 Bit? 310萬晶體管萬晶體管? 60到到 166 MHz? P6 (Pentium Pro) in 1996150 to 200 MHz clock rate196 mm**25500K transistors(external cache) micron4 layers metal VDD20W typical powerDissipation387 pinsEEI45納米技術(shù)制造二、微電子技術(shù)的主要發(fā)展方向 (1)(1)開發(fā)產(chǎn)品的復(fù)雜程度激增 。(2)開發(fā)產(chǎn)品的上市時(shí)限緊迫（ TTM)perEEI
環(huán)評(píng)公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1