微電子技術(shù)新進(jìn)展(參考版)
2025-01-03 04:40本頁面
【正文】 謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。對(duì)遺傳學(xué)研究、疾病診斷、疾病治療和預(yù)防、轉(zhuǎn)基因工程等具有極其重要作用。? 采用微電子加工技術(shù)，在指甲蓋大小的硅片上制作含有多達(dá) 1020萬種 DNA基因片段的芯片。? 微電子與生物技術(shù)緊密結(jié)合的以 DNA芯片等為代表的生物工程芯片將是 21世紀(jì)微電子領(lǐng)域的另一個(gè)熱點(diǎn)和新的經(jīng)濟(jì)增長點(diǎn)。從廣義上講， MEMS是指集微型傳感器、微型執(zhí)行器、信號(hào)處理和控制電路、接口電路、通信系統(tǒng)以及電源于一體的微機(jī)電系統(tǒng)?！?整個(gè)市場都認(rèn)為這是半導(dǎo)體的未來。主要包括 IP模塊間的膠聯(lián)邏輯技術(shù)和 IP模塊綜合分析及其實(shí)現(xiàn)技術(shù)等。? 模塊界面間的綜合分析技術(shù)其中以硬核使用價(jià)值最高。固核 主要為結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；IP模塊有三種：? IP模塊庫的復(fù)用技術(shù) Theory）。面向不同系統(tǒng)的軟件和硬件的功能劃分理論（Functional 它的設(shè)計(jì)必須從系統(tǒng)行為級(jí)開始自頂向下（ TopDown）。Interface集成電路走向系統(tǒng)芯片? SOC與 IC的設(shè)計(jì)原理是不同的，它是微電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域的一場革命。InterfaceLANInterfaceGlue GluePCIProcessorAOPTIONSSOCSystemNANOELECTRONICCMOS?Targets:Lower costLess power consumptionHigher performance DNA ICSingle electron transistor (SET)SpintronicsCarbon Nanotube (CNT)Molecular Devicesreplace誕生基于新原理的器件和電路Which型硅n+n+多晶硅NMOSFET 柵介質(zhì)層新一代小尺寸器件問題新一代小尺寸器件問題帶間隧穿反型層的量子化效應(yīng)電源電壓 1V時(shí)，柵介質(zhì)層中電場約為 5MV/cm，硅中電場約 1MV/cm考慮量子化效應(yīng)的器件模型?…Xj1/390nm→ 65nm工藝：柵極柵介質(zhì)已經(jīng)縮小到 （約等于 5個(gè)原子厚度）柵極柵介質(zhì)太薄，就會(huì)造成漏電電流穿透在 45nm工藝中采用 High－ K＋金屬柵極晶體管使摩爾定律得到了延伸（可以到 35nm、 25nm工藝）隧穿效應(yīng)SiO2的性質(zhì)柵介質(zhì)層 Tox1納米量子隧穿模型高 K介質(zhì)?雜質(zhì)漲落器件溝道區(qū)中的雜質(zhì)數(shù)僅為百的量級(jí)統(tǒng)計(jì)規(guī)律新型柵結(jié)構(gòu)?電子輸運(yùn)的渡越時(shí)間～碰撞時(shí)間介觀物理的輸運(yùn)理論?溝道長度T硅化物 經(jīng)驗(yàn)關(guān)系 : L的縮小，柵泄漏的縮小，柵泄漏電流呈指數(shù)性增長電流呈指數(shù)性增長超薄柵氧化層?xùn)叛趸瘜拥膭?shì)壘GS D
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