微電子技術(shù)新進(jìn)展(完整版)
【正文】 N 銅互連首先在 NanoDeviceLENGTH型硅n+n+多晶硅NMOSFET 柵介質(zhì)層新一代小尺寸器件問(wèn)題新一代小尺寸器件問(wèn)題帶間隧穿反型層的量子化效應(yīng)電源電壓 1V時(shí)，柵介質(zhì)層中電場(chǎng)約為 5MV/cm，硅中電場(chǎng)約 1MV/cm考慮量子化效應(yīng)的器件模型?…OPTIONSSOCSystemInterfaceLAN它的設(shè)計(jì)必須從系統(tǒng)行為級(jí)開(kāi)始自頂向下（ TopDown）。 Theory）。固核 主要為結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；? 模塊界面間的綜合分析技術(shù)從廣義上講， MEMS是指集微型傳感器、微型執(zhí)行器、信號(hào)處理和控制電路、接口電路、通信系統(tǒng)以及電源于一體的微機(jī)電系統(tǒng)。謝謝觀看 /歡迎下載BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAITH。? 微電子與生物技術(shù)緊密結(jié)合的以 DNA芯片等為代表的生物工程芯片將是 21世紀(jì)微電子領(lǐng)域的另一個(gè)熱點(diǎn)和新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)。? IP模塊庫(kù)的復(fù)用技術(shù) Interface集成電路走向系統(tǒng)芯片? SOC與 IC的設(shè)計(jì)原理是不同的，它是微電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域的一場(chǎng)革命。A誕生基于新原理的器件和電路Which硅化物 經(jīng)驗(yàn)關(guān)系 : Lts with new materials and device structures is crucial. SOI(SiliconOnInsulator） Device– 新型材料體系? SOI材料?應(yīng)變硅? 高 K介質(zhì)? 金屬柵電極第三個(gè)關(guān)鍵技術(shù) :新器件與新材料 高速銅質(zhì)接頭和新型低 k介質(zhì)材料 ,探索碳納米管等替代材料第二個(gè)關(guān)鍵技術(shù)：多層互連技術(shù)器件及互連線延遲012341997 1999 2023 2023 2023 2023延遲值(ns)器件內(nèi)部延遲2厘米連線延遲（ bottom layer）2厘米連線延遲（ top layer）2厘米連線延遲約束互連技術(shù)與器件特征尺寸的縮小 – 新型器件結(jié)構(gòu) 高性能、低功耗晶體管 FinFETPRODUCTION EEI 縮小器件的特征尺寸 集成電路最主要的特征參數(shù)的設(shè)計(jì)規(guī)則從1959年以來(lái) 40年間縮小了 140倍。存儲(chǔ)量（ GB—TByte ） 2023年英特爾推出 45nm正式量產(chǎn)工藝， 45nm技術(shù)是全新的技術(shù)，可以讓摩爾定律至少再服役 10年 。LawMoore’s Law: Quantitative微電子技術(shù)是 50年來(lái)發(fā)展最快的技術(shù)EEI 世界上第一臺(tái)計(jì)算機(jī)世界上第一臺(tái)計(jì)算機(jī)大?。洪L(zhǎng) 24m，寬 6m，高 速度： 5000次 /sec；重量： 30噸；功率： 140KW；平均無(wú)故障運(yùn)行
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