微電子技術(shù)新進展ppt課件(參考版)
2025-01-20 16:59本頁面
【正文】 對遺傳學(xué)研究、疾病診斷、疾病治療和預(yù)防、轉(zhuǎn)基因工程等具有極其重要作用。 ? 采用微電子加工技術(shù)，在指甲蓋大小的硅片上制作含有多達 1020萬種 DNA基因片段的芯片。從廣義上講， MEMS是指集微型傳感器、微型執(zhí)行器、信號處理和控制電路、接口電路、通信系統(tǒng)以及電源于一體的微機電系統(tǒng)。 “ 整個市場都認為這是半導(dǎo)體的未來 。 ? 模塊界面間的綜合分析技術(shù) 主要包括 IP模塊間的膠聯(lián)邏輯技術(shù)和 IP模塊綜合分析及其實現(xiàn)技術(shù)等 。 其中以硬核使用價值最高 。 硬件和軟件更加緊密結(jié)合不僅是 SOC的重要特點 ， 也是 21世紀 IT業(yè)發(fā)展的一大趨勢 。 它的設(shè)計必須從系統(tǒng)行為級開始自頂向下 （ TopDown） 。s with new materials and device structures is crucial. SOI(SiliconOnInsulator） 絕緣襯底上的硅技術(shù) QUASIPLANAR SOI FinFET 10 nm GATE LENGTH FinFET 隨著 t gate 的縮小，柵泄漏電流呈指數(shù)性增長 超薄柵 氧化層 柵氧化層的勢壘 G S D 直接隧穿的泄漏電流 柵氧化層厚度小于 3nm后 tgate 大量的 晶體管 柵介質(zhì)的限制 傳統(tǒng)的柵結(jié)構(gòu) 重摻雜多晶硅 SiO2 硅化物 經(jīng)驗關(guān)系 : L ? T ox Xj1/3 90nm→ 65nm工藝：柵極柵介質(zhì)已經(jīng)縮小到 （約等于 5個原子厚度）柵極柵介質(zhì)太薄，就會造成漏電電流穿透 在 45nm工藝中采用 High－ K＋金屬柵極晶體管 使摩爾定律得到了延伸（可以到 35nm、 25nm工藝） Which can replace Si CMOS? Targets: Lower cost Less power consumption Higher performance DNA IC Single electron transistor (SET) Spintronics Carbon Nanotube (CNT) Molecular Devices NANOELECTRONIC DEVICE OPTIONS 解調(diào)/ 糾錯傳輸反向多路器M P E G 解碼D R A MD R A M聲頻接口視頻接口IBMCPUSTBPS C IIE E E 12 84G P IO,etcD R A M衛(wèi)星/電纜第二代將來第三代SOC System On A Chip 集成電路走向系統(tǒng)芯片 七十年代的集成電路設(shè)計 ?微米級工藝 ?基于晶體管級互連 ?主流 CAD：圖形編輯 Vdd A B Out 八十年代的電子系統(tǒng)設(shè)計
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