微電子技術(shù)應(yīng)用基礎(chǔ)第二章集成電路的制造工藝-資料下載頁
2025-01-01 04:40本頁面
【正文】 （ f） 形成 N型硅 (b)(5) 雙極型集成電路中的 PN結(jié)介質(zhì)隔離 (c)PN結(jié) 圖 (d)(a） N +埋層擴(kuò)散； （ b） 擴(kuò)散保護(hù)環(huán)； （ c） 外延 N型層； （ d） 開槽； （ e） 隔離氧化 2 MOS集成電路中的隔離技術(shù) 圖 (a) NMOS。 (b) PMOS。 (c) P阱 CMOS。 (d) N阱 CMOS（ e） 生 MOSFET 圖 (1) 圖 (2 )局部氧化隔離 圖 微電子技術(shù)的加工工藝環(huán)境 1 ① 污染來源 。 ② 凈化標(biāo)準(zhǔn) 。 2 超純水的制備方法有：離子交換法 、 電滲析法和反滲透法 。 3 (1) 氣體純度要求 (2) 化學(xué)試劑純度要求 襯底材料 加工微電子器件對單晶襯底材料的要求主要有以下幾點(diǎn)： ① 導(dǎo)電類型 。 ② 電阻率 。 ③ 壽命 。 ④ 晶體完整性 。 ⑤ 晶向 。 ⑥ 晶向標(biāo)記 。 ⑦ 單晶直徑盡可能大 。 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 返回 (a) 生長二氧化硅膜； (b) 淀積氮化硅膜； (c) 光刻場區(qū)氧化窗口； (d) 場區(qū)氧化； (e) 謝謝觀看 /歡迎下載 BY FAITH I MEAN A VISION OF GOOD ONE CHERISHES AND THE ENTHUSIASM THAT PUSHES ONE TO SEEK ITS FULFILLMENT REGARDLESS OF OBSTACLES. BY FAITH I BY FAIT
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