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mos集成電路的基本制造工藝-文庫(kù)吧

2025-07-10 19:09 本頁(yè)面

【正文】 OS器件之間的相互隔離。 P阱 CMOS芯片剖面示意圖見(jiàn)下圖。 GSDGDSN+N+P+P+P+N M O SP M O SN S U BP 阱N+半導(dǎo)體集成電路 N阱 CMOS工藝 N阱 CMOS正好和 P阱 CMOS工藝相反，它是在 P型襯底上形成 N阱。因?yàn)?N溝道器件是在 P型襯底上制成的，這種方法與標(biāo)準(zhǔn)的 N溝道MOS(NMOS)的工藝是兼容的。在這種情況下， N阱中和了 P型襯底， P溝道晶體管會(huì)受到過(guò)渡摻雜的影響。半導(dǎo)體集成電路 N阱 CMOS工藝早期的 CMOS工藝的 N阱工藝和 P阱工藝兩者并存發(fā)展。但由于 N阱 CMOS中NMOS管直接在 P型硅襯底上制作，有利于發(fā)揮 NMOS器件高速的特點(diǎn)，因此成為常用工藝。半導(dǎo)體集成電路 N阱 CMOS芯

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